Brevet : Traitement d'un film mince par plasma d'hydrogène et polarisation pour en améliorer la qualité cristalline
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Numéro d’identification: WO/2021/048507 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA : BD19641
Année de dépôt : 13-09-2019
Date de publication : 18-03-2021

L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince en un matériau conducteur ou semi-conducteur pour en améliorer la qualité cristalline. Il comprend : - la fourniture d'un substrat comportant, sur l'une de ses faces, un film mince dudit matériau; et - le traitement sous plasma polarisé de l'ensemble formé par le substrat et le film mince à une température et pendant une durée déterminées, de manière à obtenir une réorganisation cristalline sur une profondeur du film mince, le traitement sous plasma polarisé comprenant une polarisation électrique du film mince et une exposition du film ainsi polarisé à un plasma d'hydrogène, le traitement sous plasma polarisé étant réalisé à une température qui est inférieure aux températures de fusion du film mince et du substrat.

 

Treatment of a thin film by hydrogen plasma and polarisation in order to improve the crystalline quality thereof (WIPO link)

The invention concerns a method for treating a thin-film on a conductive or semiconductor material in order to improve the crystalline quality thereof. It comprises: - providing a substrate comprising, on one of its faces, a thin film of said material; and - treating, under polarised plasma, the assembly formed by the substrate and the thin-film at a determined temperature and for a determined duration, so as to obtain a crystalline reorganisation over a depth of the thin-film, the treatment under polarised plasma comprising an electrical polarisation of the thin-film and an exposure of the film thus polarised to a hydrogen plasma, the treatment under polarised plasma being carried out at a temperature which is less than the melting temperatures of the thin-film and of the substrate.

 


Auteurs : Julien Delchevalrie, Jean-Charles Arnault (NIMBE/LEDNA), Samuel Saada, Romain Bachelet.

 
#3363 - Màj : 23/06/2021

 

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