Laboratoire Léon Brillouin
UMR12 CEA-CNRS, Bât. 563 CEA Saclay
91191 Gif sur Yvette Cedex, France
+33-169085241 llb-sec@cea.fr
Numéro d’identification: WO/2015/105834 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 15504
Année de dépôt : 09.01.2014
Date de publication : 16-07-2015
Elément magnétorésistif ayant une meilleure réponse aux champs magnétiques
Un élément magnétorésistif présente un agencement de piégeage comprenant deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques, deux couches piégées et une couche libre. Une couche d'espacement entre l'une des deux couches de piégeage antiferromagnétiques et la couche libre présente un matériau sélectionné pour permettre un piégeage partiel régulable par l'une des deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques.
Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields (WIPO Link)
A magnetoresistance element has a pinning arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.
Contact: C. Fermon.
• Future optics and electronics › Nanomagnetism, spintronic and multiferroic materials Électronique et optique du futur
• Institut Rayonnement Matière de Saclay • UMR 3680 - Laboratory of Condensed Matter Physics (SPEC) • UMR 3680 - Service de Physique de l'Etat Condensé (SPEC)
• Nano-Magnetism and Oxides • Laboratoire Nano-Magnétisme et Oxydes (LNO)