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Modélisation de la croissance et des défauts des nanotubes de carbone
Hakim AMARA
LPS, Facultés Universitaires Notre-Dame de la Paix, Namur et PCPM, Université Catholique de Louvain, Belgique
Fri, Jun. 16th 2006, 11:00
SPEC Bât 466 p.111 (1er ét.), CEA-Saclay
La croissance de nanotubes monofeuillets de carbone requiert la présence d'un catalyseur métallique (Fe, Co, Ni, ...) quel que soit le mode de synthèse utilisé. Toutefois, le mécanisme de croissance de tels objets reste méconnu. Nous avons alors entrepris une étude théorique visant à comprendre le rôle du catalyseur métallique. Ce travail a abouti à la mise en place d'un modèle semi-phénoménologique reposant sur la méthode des liaisons fortes intégrant à la fois les orbitales s et p du carbone ainsi que les orbitales d du métal. L'ensemble du modèle est ensuite inséré dans un code de simulation grand canonique Monte Carlo.
La deuxième partie du séminaire sera consacrée à l'étude préliminaire des défauts dans les structures sp2 de carbone. L'identification directe (TEM) des défauts est très difficile et doit donc se faire de manière indirecte, en détectant une variation de la densité d états locale électronique (STM) ou vibrationnelle (STS). A l'aide d'une simple, mais précise, approche théorique basée sur la méthode des liaisons fortes, il est possible de simuler les signatures spectroscopiques et topographiques de défauts présents dans une feuille de graphène et dans un nanotube de carbone. Plusieurs illustrations, dans le cas du graphène, seront présentées.

 

Séminaire SPCSI - Informations pratiques

Entrée sur le site du CEA de Saclay pour les séminaires SPCSI

Afin de pouvoir entrer sur le site du CEA de Saclay veuillez adresser les données personnelles suivantes par courriel à Christine Prigian et Catherine Julien (secrétariat) un avis d’entrée vous sera alors délivré:

 

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Ces informations doivent être envoyées au mieux deux jours avant la date du séminaire.

Lors de votre venue vous devez vous présenter avec une carte d'identité ou un passeport en cours de validité. L'entrée sur le site se fait par l'entrée principale ou porte Nord (suivre le lien ci-dessous), un badge vous y sera remis. Demandez à l'accueil le Bât.466, ils vous renseigneront.
Les séminaires se déroulent au Bât. 466, pièce 111 (1er étage).
En cas de problème vous pouvez contacter le secrétariat au : 01 69 08 65 32 /  40 12.


Formalities for entering the CEA Saclay site for SPCSI seminars

 

 

To enter in CEA Saclay you need to send the following personal data to Christine  PRIGIAN and Catherine Julien (secretariat):

 

 

Informations utiles/Practical informations - Contact

Informations:  Access



 

Contact: Christine Prigian et Catherine Julien

 

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These informations must be preferably sent at least two days before the seminar date.

 

When you come you must have a valid ID card or passport with you.

The entrance in CEA Saclay is through the main entrance or north entrance (see link below), a pass will be delivered. Ask at the “accueil” the path for the building 466. SPCSI seminars take place in room 111 (first floor).

Any questions/troubles do not hesitate to contact our secretariat : 33 (0)1 69 08 65 32 /  40 12.

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