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Croissance par PECVD de nanotubes de carbone orientés
Aurelien Gohier
Institut des Matériaux Jean Rouxel de Nantes (IMN), et Couches Minces, UMR 6502 CNRS – Université de Nantes
Fri, Jun. 15th 2007, 11:00
SPEC Bât 466 p.111 (1er ét.), CEA-Saclay
Les nanotubes de carbone (NTC) intéressent vivement la communauté scientifique au vu de leurs propriétés chimiques, mécaniques et électriques remarquables. Les progrès accomplis ces derniers quinze ans sont considérables et reflètent bien l’importance attribuée au NTC dans l’essor des nanosciences et nanotechnologies. Ils sont déjà sur le point d’être exploités dans de nombreuses applications telles l’émission de champ, les transistors à effet de champ, les interconnexions entre niveaux dans les circuits intégrés etc. La diversification de ces applications requière le contrôle des procédés et la compréhension des paramètres clés gouvernant leur croissance, focalisant ainsi une partie importante des recherches actuelles. Généralement, on distingue deux catégories de nanotubes : les nanotubes mono-feuillet (SWNT) constitués d’un seul cylindre et les multi-feuillets (MWNT). Récemment, une attention toute particulière s’est portée sur les nanotubes double-feuillets (DWNT) ou possédant peu de parois (Few Walled Nanotube –FWNT). Ces derniers semblent bénéficier des avantages des deux familles de NTC et ont par conséquent un très fort potentiel applicatif. Les procédés de synthèse à température modérée apparaissent très attrayants pour les applications des NTC. Ils se regroupent en deux grandes familles : (i) le dépôt chimique en phase vapeur en présence d’un plasma (PECVD -Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) et (ii) le dépôt chimique assisté par la température uniquement (CVD). Les deux techniques permettent d’abaisser la température de synthèse (

 

Séminaire SPCSI - Informations pratiques

Entrée sur le site du CEA de Saclay pour les séminaires SPCSI

Afin de pouvoir entrer sur le site du CEA de Saclay veuillez adresser les données personnelles suivantes par courriel à Christine Prigian et Catherine Julien (secrétariat) un avis d’entrée vous sera alors délivré:

 

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Ces informations doivent être envoyées au mieux deux jours avant la date du séminaire.

Lors de votre venue vous devez vous présenter avec une carte d'identité ou un passeport en cours de validité. L'entrée sur le site se fait par l'entrée principale ou porte Nord (suivre le lien ci-dessous), un badge vous y sera remis. Demandez à l'accueil le Bât.466, ils vous renseigneront.
Les séminaires se déroulent au Bât. 466, pièce 111 (1er étage).
En cas de problème vous pouvez contacter le secrétariat au : 01 69 08 65 32 /  40 12.


Formalities for entering the CEA Saclay site for SPCSI seminars

 

 

To enter in CEA Saclay you need to send the following personal data to Christine  PRIGIAN and Catherine Julien (secretariat):

 

 

Informations utiles/Practical informations - Contact

Informations:  Access



 

Contact: Christine Prigian et Catherine Julien

 

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These informations must be preferably sent at least two days before the seminar date.

 

When you come you must have a valid ID card or passport with you.

The entrance in CEA Saclay is through the main entrance or north entrance (see link below), a pass will be delivered. Ask at the “accueil” the path for the building 466. SPCSI seminars take place in room 111 (first floor).

Any questions/troubles do not hesitate to contact our secretariat : 33 (0)1 69 08 65 32 /  40 12.

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