| Centre
| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST | English
Univ. Paris-Saclay
Defects in two-dimensional materials: their production under irradiation, evolution and properties from first-principles calculations
A. V. Krasheninnikov
Helmholtz Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Germany
and Department of Applied Physics, Aalto University, Finland
Lundi 30/11/2015, 15:00
SRMP Bât 520 p.109, CEA-Saclay

Following isolation of a single sheet of graphene, many other 2D systems such as hexagonal BN sheets and transition metal dichalcogenides (TMD) were manufactured. Among them, TMD sheets have received particular attention, as these materials exhibit intriguing. Moreover, the properties can further be tuned by introduction of defects and impurities. In my talk, I will present the results (see refs.) of our first-principles theoretical studies of defects (native and irradiation-induced) in inorganic 2D systems obtained in collaboration with several experimental groups. I will further discuss defect- and impurity-mediated engineering of the electronic structure of 2D materials.

  • Three-fold rotational defects in two-dimensional transition metal dichalcogenides
    Y.-C. Lin, T.Björkman, H.-P. Komsa, P.-Y. Teng, C.-H. Yeh, F.-S. Huang, K.-H. Lin, J. Jadczak, Y.-S. Huang, P.-W. Chiu, A.V. Krasheninnikov & K. Suenaga, Nature Comm. 6 (2015) 6736.
  • Atomic scale microstructure and properties of Se-deficient two-dimensional MoSe2
    O.Lehtinen, H.-P.Komsa, A.Pulkin, M.B. Whitwick, M.W. Chen, T.Lehnert, M.J. Mohn, O.V. Yazyev, A. Kis, U.Kaiser, and A.V. Krasheninnikov, ACS Nano 9 (2015) 3274.
  • Single-layer ReS2: Two-dimensional semiconductor with tunable in-plane anisotropy
    Y.C.Lin, H.P. Komsa, C.H. Yeh, T.Björkman, Z.-Y. Liang, C.H. Ho, Y.-S. Huang, P.-W.Chiu, A.V. Krasheninnikov, and K. Suenaga, ACS Nano (2015) .
  • Native defects in bulk and monolayer MoS2 from first principles
    H.-P. Komsa and A. V. Krasheninnikov, Phys. Rev. B 91 (2015) 125304.
  • Properties of individual dopant atoms in single-layer MoS2: atomic structure, migration, and enhanced reactivity.
    Y.C. Lin, D.O Dumcenco, H.P. Komsa, Y. Niimi, A.V. Krasheninnikov, Y.S. Huang, K. Suenaga., Adv. Mater. 26 (2014) 2857.
  • Charged point defects in the flatland: accurate formation energy calculations in two-dimensional materials,
    H.-P. Komsa, N. Berseneva, A.V. Krasheninnikov, and R.M. Nieminen, Phys. Rev. X 4 (2014) 031044.

Complete list of publications.

Contact : Luc BARBIER


Séminaire SRMP - Informations pratiques

Entrée sur le site du CEA de Saclay pour les séminaires SRMP

Afin de pouvoir entrer sur le site du CEA de Saclay veuillez adresser les données personnelles suivantes par courriel à :
(secrétariat) un avis d’entrée vous sera alors délivré :


Nom :

Prénom :

Date et lieu de naissance :

Nationalité :

Nom de l'employeur :


Ces informations doivent être envoyées au mieux deux jours avant la date du séminaire.>

Lors de votre venue vous devez vous présenter avec une carte d'identité ou un passeport en cours de validité. L'entrée sur le site se fait par l'entrée principale ou porte Nord (suivre le lien ci-dessous), un badge vous y sera remis. Demandez à l'accueil le Bât.520, ils vous renseigneront.
Les séminaires se déroulent au Bât. 520, pièce 109 (1er étage).
En cas de problème vous pouvez contacter le secrétariat au : 01 69 08 51 67

Formalities for entering the CEA Saclay site for SRMP seminars

To enter in CEA Saclay you need to send the following personal data to   (secretariat):

Informations utiles/Practical informations - Contact:

Informations:  Access to the CEA Saclay




Last Name :

First Name :

Place and date of birth :

Nationality :

Employer Name :

These informations must be preferably sent at least two days before the seminar date.


When you come you must have a valid ID card or passport with you.

The entrance in CEA Saclay is through the main entrance or north entrance (see link below), a pass will be delivered. Ask at the “accueil” the path for the building 520. SRMP seminars take place in room 109 (first floor).

Any questions/troubles do not hesitate to contact our secretariat: 33 (0)1 01 69 08 51 67.


#38 - Mise à jour : 11/02/2013


Retour en haut