| Centre
Paris-Saclay
| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST | English
Univ. Paris-Saclay
Transport polarisé en spin dans des semi-conducteurs
Richard MATTANA
Unité Mixte de Physique CNRS/Thales, Palaiseau
Mercredi 02/05/2007, 11:00
SPEC Salle Itzykson, Bât.774, Orme des Merisiers
(accueil café 15 minutes auparavant / coffee 15 minutes before)
L'utilisation du degré de liberté du spin dans des hétérostructures semiconductrices est à la base de nombreux concepts dans le domaine de la spintronique et de l'information quantique. Dans le domaine particulier de la spintronique le principal défi est la transformation d'une information de spin en signal électrique. Pour cela il est nécessaire de maîtriser i) l'injection de spins dans le semiconducteur et ii) la détection électrique de la conservation du spin. J'évoquerai dans un premier temps les difficultés qui apparaissent, en terme de "désaccord d'impédance et de densité d'états" pour obtenir une injection de spins efficace à partir d'un métal ferromagnétique. Je montrerai comment l'insertion d'une barrière tunnel entre le métal ferromagnétique et le semi-conducteur peut conduire à la restauration du courant de spin à la surface du semiconducteur. J'illustrerai par des expériences d'injection de spins dans des boîtes quantiques d'InAs et des gaz d'électrons bidimensionnels de GaAs. Je discuterai ensuite d'expériences d'injection et de détection électrique de spins dans des puits quantiques de GaAs. J'exposerai les conditions nécessaires pour une détection de spin efficace en terme de temps de vie de spins et temps de vie des porteurs dans le semi-conducteur.

 

Retour en haut