| Centre
Paris-Saclay
| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST | English
Univ. Paris-Saclay

Brevets 2006

23 mars 2006

Numéro d'identification: WO/2006/029649 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA : BD1567
Date de dépôt : 15-09-2004

Année de publication: 23-03-2006

Oscillateur pour hyperfréquences accordé avec un mince film ferromagnétique

L'invention concerne un oscillateur accordé pour hyperfréquences, faisant appel à un résonateur à mince film ferromagnétique, qui comprend: a) un résonateur hyperfréquences (1) comportant une plaque de résonance (110) à mince film ferromagnétique, comme un cristal YIG en forme de disque, placé sur un circuit intégré hyperfréquences (11), tel qu'un résonateur sur feuille à demi-longueur d'ondes; b) un moyen de champ magnétique de polarisation (12) pour appliquer un champ magnétique de polarisation à la plaque de résonance (110) à film ferromagnétique mince; c) un élément actif pour assurer l'oscillation (21), un élément de retour réactif (24) et une charge (23, 25) régulée par les propriétés hyperfréquences de la plaque de résonance (110) à film ferromagnétique mince, à travers une boucle de rétroaction de charge (4) et d) une boucle de rétroaction positive générale (3, 14, 15), connectée entre l'élément actif pour assurer l'oscillation (21) et le résonateur hyperfréquences (1) pour induire une oscillation soutenue à créer à une des résonances excitées par paramètres de la plaque de résonance (110) à film ferromagnétique mince.

 


Microwave oscillator tuned with a ferromagnetic thin film
(
lien WIPO)

 

A microwave tuned oscillator utilizing a ferromagnetic thin film resonator comprises: a) a microwave resonator (1) comprising a ferromagnetic thin film resonance plate (110) such as a disc-shaped YIG crystal placed on a microwave integrated circuit (11), such as a half-wavelength strip-line resonator, b) bias magnetic field means (12) for applying a bias magnetic field perpendicular to the ferromagnetic thin film resonance plate (110), c) an active element for oscillation (21), a reactive feedback element (24) and a load (23, 25) controlled by the microwave properties of the ferromagnetic thin film resonance plate (110) through a load feedback loop (4), and d) an overall positive feedback loop (3, 14, 15) connected between the active element for oscillation (21) and the microwave resonator (1) to cause a sustained oscillation to build up at one of parametrically excited resonances of the ferromagnetic thin film resonance plate (110).

Contacts: O. Klein et V. Naletov

23 février 2006
J. Borghetti, J.P. Bourgoin , P. Mordant, V. Derycke, A. Filoramo et M. Goffman,

Numéro d'identification : WO/2006/018497 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD: 1574
Année de dépôt : 20-07-2004
Date de publication : 23-02-2006

Dispositif semiconducteur à nanotube ou nanofil, configurable optiquement

L'invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant au moins un nanotube ou un nanofil, notamment de carbone, ainsi qu'au moins deux électrodes, caractérisé en ce qu'elles comportent au moins un nanotube ou un nanofil semiconducteur ayant au moins une région au moins en partie recouverte d'une couche de molécules ou de nanocristaux d'un matériau photo-sensible, une liaison électrique entre les deux électrodes étant réalisée par au moins un nanotube ou un nanofil semiconducteur.


Optically-configurable nanotube or nanowire semiconductor device
(WIPO link)

The invention relates to a semiconductor device comprising at least one nanotube or nanowire, such as a carbon nanotube or nanowire, as well as two electrodes. The invention is characterized in that the device comprises at least one semiconductor nanotube or nanowire having at least one region which is at least partially covered with at least one layer of molecules or nanocrystals made from at least one photo-sensitive material. According to the invention, an electrical connection is provided between the two electrodes by at least one nanotube, namely the semiconductor nanotube or nanowire, and optionally at least one other nanotube or nanowire.

Contact: J.P. Bourgoin

22 février 2006

Numéro d'identification : WO/2006/011013 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD1555
Année de dépôt 16-07-2004

Année de publication: 22-02-2006

Dispositif de protection permettant de protéger un circuit contre une attaque mécanique et électromagnétique

Pour protéger un circuit contre une attaque mécanique ou électromagnétique, un dispositif de protection active fixé au circuit comprend : au moins un générateur servant à générer un champ magnétique, au moins un capteur magnétique S1, S2, S3, S4 servant à mesurer une valeur du champ magnétique, un circuit d'intégrité connecté au(x) capteur(s) magnétique(s) S1, S2, S3, S4 et au circuit. Le circuit d'intégrité active une procédure de réaction dans le circuit si la valeur du champ magnétique mesurée par le capteur magnétique sort d'un domaine de valeurs qui est corrélé au champ magnétique généré.

 


An active protection device for protecting circuit against mechanical and electromagnetic attack.
(Lien WIPO)

 

For protecting a circuit against a mechanical or electromagnetic attack, an active protection device attached to the circuit comprises: - at least one generator for generating a magnetic field, - at least one magnetic sensor S1, S2, S3, S4 for measuring a value of the magnetic field, - an integrity circuit connected to the at least one magnetic sensor S1, S2, S3, S4 and to the circuit. The integrity circuit activates a reaction procedure in the circuit if the measured value of the magnetic field made by the magnetic sensor is out of a values domain, the values domain being correlated to the generated magnetic field.

 Contact: C. Fermon

06 juillet 2006
M. Dubois et T. Zemb

Numéro de publication international Fr 2880032 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1433

Date de dépôt: 23-12-2004

Année de publication: 06-07-2006

Nanodisques catanioniques cristallisés stabilisés. Procédé de préparation et  applications

La présente invention porte sur le procédé de préparation de disques nanométriques ou micrométriques catanioniques cristallisés et stabilisés et à leur utilisation, notamment pour la formation de couches adsorbées utiles comme revêtement protecteur de surface, notamment contre la corrosion ou à titre de lubrifiant.

Stabilized crystallized catanionic nanodiscs, Method for preparing same and uses thereof (Lien WIPO)

The invention concerns a method for preparing stabilized crystallized catanionic nanometric or micrometric discs and their uses by forming adsorbed layers as surface coating for protection against corrosion, or as lubricant.

 Fichier PDF associé

Contact : David Carrière

22 mars 2006
M. Bougeard, F. Quere et M. Servol

Numéro d'identification : WO/2006/021552 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1563
Année de dépôt : 27-08-2004
Date de publication : 02-03-2006  

Procédé et appareil pour générer un rayonnement ou des particules par interaction entre un faisceau laser et une cible 

Afin de générer un rayonnement ou des particules par interaction entre un faisceau laser et une cible, la cible choisie est un écoulement libre (5) dans une enceinte à vide (40) d'une poussière formée de grains solides d'une dimension de 10 µm à 1 mm et le faisceau laser (9), qui est un faisceau laser intense pulsé, est focalisé sur l'écoulement de poudre (5) qui avance uniquement par gravité, pour créer une zone d'interaction (8) générant le rayonnement ou les particules dans l'enceinte à vide (40), dans laquelle la pression interne est inférieure à 1 000 Pa.

 


A method and apparatus for generating radiation or particles by interaction between a laser beam and a target
(WIPO link)

 

To generate radiation or particles by interaction between a laser beam and a target, the selected target is a free flow (5) in a vacuum enclosure (40) of a powder made up of solid grains of size from 10 μm to 1 mm and the laser beam (9), which is an intense pulsed laser beam, is focused onto the powder flow (5) that is driven by gravity only, to create an interaction area (8) generating the radiation or the particles in the vacuum enclosure (40) , in which the internal pressure is less than 1000 Pa.

Contact: F. Quere

19 janvier 2006
C. Radtke, M. Silly, P. Soukiassian et H. Enriquez

Numéro d'identification : WO/2006/005869 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1552
Année de dépôt : 21-06-2004
Date de publication : 19-01-2006 

Procédé de métallisation de surface préalablement passivée d'un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé

Procédé de métallisation d'une surface préalablement passivée d'un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé. Selon l'invention, qui s'applique notamment en microélectronique, on prépare la surface de matériau (2) de façon qu'elle possède des liaisons capables d'adsorber des atomes d'hydrogène ou d'un élément métallique, on passive une ou plusieurs couches, de préférence immédiatement sous-jacentes à la surface, en l'exposant à un composé de passivation, et l'on métallise la surface (4) en l'exposant à des atomes d'hydrogène ou de l'élément métallique. 


Method for metalizing a passivated surface of a semiconductor material and resulting material
(WIPO link)

The invention concerns a method for metalizing a passivated surface of a semiconductor material and resulting material. The invention, which is applicable in microelectronics, is characterized in that it consists in: preparing the surface of the material (2) so that it contains bonds capable of absorbing hydrogen atoms or a metal element, passivating one or more layers, preferably immediately underlying the surface, by exposing same to a passivating compound, and metalizing the surface (4) by exposing same to hydrogen atoms or the metal element.

Contact: P. Soukiassian

05 janvier 2006
V. Aroutiounian, K. Martirosyan et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2006/000688 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1511
Année de dépôt : 02-06-2004
Date de publication : 05-01-2006 

Revêtements anti-réfléchissants pour piles solaires et procédé pour les fabriquer

L'invention propose un revêtement anti-­réfléchissant (20) comprenant, en combinaison, une couche interne (21) de silicium poreux anti­-réfléchissant et une couche externe (22) de carbone sous forme de diamant amorphe non poreuse et dépourvue d'espèces étrangères. Il est décrit également un procédé de fabrication d'un revêtement anti-réfléchissant, ainsi que son utilisation comme revêtement pour une pile solaire (10). Le revêtement est moins susceptible de se dégrader avec le temps et peut améliorer le domaine spectral de conversion efficace du rayonnement. 


Anti-reflecting coatings for solar batteries and method for the production thereof (WIPO link

The invention relates to an anti-reflecting coating (20) comprising a combined inner coating (21), made of anti-reflecting silicon, and outer coating (22) made of carbon in the form of an amorphous diamond which is essentially non-porous and essentially devoid of foreign species. The invention also relates to a method for the production of an anti-reflecting coating and to the use thereof as a coating for a solar batter (10). The coating is less likely to deteriorate with time and can improve the spectral domain of efficient conversion of radiation.

Contact: P. Soukiassian

 

Retour en haut