Numéro d’identification: WO/2015/105830 (lien OMPI) |
|
|
Numéro d’identification CEA BD 16020
Année de dépôt : 09.01.2014
Date de publication : 27.01.2015
Elément a effet de magnétorésistance a réponse améliorée aux champs magnétiques
L4invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comportant un agencement à deux broches avec deux couches de brochage anti-ferromagnétiques, deux couches brochées, et une couche libre. Une couche d'écartement entre l'une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques et la couche libre comprend un matériau choisi pour permettre un brochage partiel contrôlable par une des deux couches de brochage anti-ferromagnétiques.
Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
A magnetoresistance element has a double pinned arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers.
Contact: M. Pannetier-Lecoeur
• Matériaux des nouvelles technologies pour l’énergie
• UMR 3680 - Service de Physique de l'Etat Condensé (SPEC)