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Paris-Saclay
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Univ. Paris-Saclay

Brevets 2000

07 décembre 2000
P. Rongier, T. Bonhomme et H. Perez

Numéro d'identification : WO 2000/073775 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 28-05-1999
Date de publication : 07-12-2000

 Dispositif de mesure de la concentration en hydrogène dans un mélange gazeux

L'invention est relative à un dispositif de mesure de la concentration en hydrogène dans un mélange gazeux, par exemple dans l'air constituant l'atmosphère d'un local fermé. Le dispositif comprend un capteur (1) en contact avec le mélange gazeux. Ce capteur (1), relié à des moyens de calcul et d'affichage (2), comprend un catalyseur (13) susceptible de provoquer une réaction exothermique avec l'hydrogène contenu dans le mélange gazeux, des conducteurs (14) fixés au catalyseur pour transférer essentiellement par conduction l'énergie thermique générée par la réaction depuis le catalyseur (13) jusqu'à un point froid (18). S'ajoute des moyens de mesure de la température T1 (21) du catalyseur et de la température T2 (22) du point froid (18).  A partir du gradient de température T1-T2 ainsi mesuré, la valeur de la concentration molaire en hydrogène dans le mélange gazeux est calculée et affichée .


Device for measuring the concentration of hydrogen in a gas mixture
(Lien WIPO)

The invention relates to a device for measuring the concentration of hydrogen in a gas mixture, especially in the air, which makes up for example the atmosphere of an enclosed supace. The device comprises a detector (1) in contact with the gas mixture, whereby the detector (1), connected to calculating and display means (2), comprises a catalyst (13) which can cause an exothermic reaction with hydrogen contained in the gas mixture. In addition, to comprising conducting means (14) fixed to the catalyst in order to transfer, essentially by conduction, the thermal energy generated by the reaction from the catalyst (13) to a cold point (18). It also comprises means for measuring the temperature T1 (T21) of the catalyst and the temperature T2 (22) of the cold point (18), whereby said measuring means are connected to means for calculating the value of the molar concentration of hydrogen in the gas mixture on the basis of the measured temperature (T1-T2) gradient, whereby said calculating means supply the hydrogen concentration value to said display means.

Contact: H. Perez

16 mars 2000
H. Perez , F. Armand et JP Pradeau

Numéro d'identification : WO/2000/014520 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 08-09-1998
Date de publication : 16-03-2000

Film de détection d'une espèce chimique, capteur chimique et procédé de fabrication

La présente invention se rapporte à un film de détection d'une espèce chimique, à un capteur chimique comprenant un film selon l'invention, au procédé de fabrication associé et à un procédé pour améliorer la stabilité dans le temps et la reproductibilité d'un signal électrique mesuré à partir du procédé selon l'invention. Le film de détection possède des propriétés d'interaction avec l'espèce chimique à détecter et des propriétés électriques. Il est caractérisé en ce qu'il comprend des nanoparticules minérales et des molécules organiques pouvanzt interagir avec l'espèce chimique à détecter.


Film for detecting a chemical species, chemical sensor and method for making same
(Lien WIPO)

The invention concerns a film for detecting a chemical supecies, a chemical sensor comprising the film, a method for making a chemical sensor comprising such a film, and a method for improving the stability in time and the reproduciblity of an electric signal measured from the film detecting a chemical supecies as per the invention. The film of the invention for detecting a chemical supecies has properties for interacting with the chemical supecies to be detected and electrical properties, and is characterised in that it comprises mineral nanoparticles and organic molecules interacting with the chemical supecies to be detected.

Contact: H. Perez

08 juin 2000
V. Derycke, G. Dujardin, A. Mayne et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2009/047423 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1259
Année de dépôt : 02-12-1998
Date de publication : 08-06-2000

Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche

Selon l'invention, on forme un substrat monocristallin (2) en SiC terminé par un plan atomique de carbone selon une reconstruction c(2x2) et on effectue au moins un recuit du substrat, apte à transformer ce plan atomique, qui est un plan de dimères C≡C (4) de configuration sp, en un plan de dimères C-C (8) de configuration sp3. Application à la microélectronique, l'optique, l'optoélectronique, la micromécanique et aux biomatériaux.


Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same
(Lien OMPI)

The invention concerns a method which consists in forming a monocrystalline SiC substrate (2) ending in a carbon atomic plane according to a c(2x2) reconstruction and in at least annealing the substrate, for transforming said atomic plane, which is a plane of C≡C dimers (4) with sup configuration, into a plane of C-C dimers (8) with sup3 configuration. The invention is applicable in microelectronics, optics, optoelectronics, micromechanics and to biological materials.

Contact: P. Soukiassian

08 juin 2000
V. Derycke, G. Dujardin, A. Mayne et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2009/047423 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1259
Année de dépôt : 02-12-1998
Date de publication : 08-06-2000

Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche

Selon l'invention, on forme un substrat monocristallin (2) en SiC terminé par un plan atomique de carbone selon une reconstruction c(2x2) et on effectue au moins un recuit du substrat, apte à transformer ce plan atomique, qui est un plan de dimères C≡C (4) de configuration sp, en un plan de dimères C-C (8) de configuration sp3. Application à la microélectronique, l'optique, l'optoélectronique, la micromécanique et aux biomatériaux.


Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same
(Lien OMPI)

The invention concerns a method which consists in forming a monocrystalline SiC substrate (2) ending in a carbon atomic plane according to a c(2x2) reconstruction and in at least annealing the substrate, for transforming said atomic plane, which is a plane of C≡C dimers (4) with sup configuration, into a plane of C-C dimers (8) with sup3 configuration. The invention is applicable in microelectronics, optics, optoelectronics, micromechanics and to biological materials.

Contact: P. Soukiassian

 

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