Service de Physique de l'Etat Condensé

Surfaces métalliques et croissance
Diffraction
Development of novel XPEEM (spatial,momentum and energy resolved)
Carbure de Silicium
Electronic structure of transparent conducting oxides (Al:ZnO) for photovoltaic coatings
Chemical and electronic structure of high permittivity (high-κ) gate oxides
Chemical and electronic structure of high permittivity (high-κ) gate oxides
Nitridation of Si dots
Work function and segregation in Nb doped SrTiO3 sintered ceramics
Work function and segregation in Nb doped SrTiO3 sintered ceramics
XPEEM Spectromicroscopy with synchrotron radiation and X-ray laboratory sources
XPEEM Spectromicroscopy with synchrotron radiation and X-ray laboratory sources
XPEEM Spectromicroscopy with synchrotron radiation and X-ray laboratory sources
Final state and intrinsic effects in photoemission
Final state and intrinsic effects in photoemission
Brevet :  Couche de silicium très sensible à l\'oxygène et procédé d\'obtention de cette couche
Brevet : Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche
Brevet : Fils atomiques de grande longueur et de gande stabilite, procédé de fabrication de ces fils, application en nano-électronique
Brevet : Nano-objets métalliques, formes sur des surfaces de semi-conducteurs, et procédé de fabrication de ces nano-objets
Brevet : Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d\'obtention d\'une telle couche
Brevet : Revêtements anti-réfléchissants pour piles solaires et procédé pour les fabriquer
Brevet : Revêtement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procédé de fabrication de ce revêtement
Brevet : Procédé de fabrication de nanostructures unidimensionnelles
Brevet :  Couche de silicium très sensible a l\'oxygène et procédé d\'obtention de cette couche
Brevet : Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée
Brevet : Nanostructures à résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication
Brevet : Procédé de métallisation de la surface préalablement passivée d\'un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé
Brevet : Procédé de stockage de l\'hydrogène, dispositif pour sa mise en œuvre et applications
Brevet : Procédé de traitement de la surface d\'un matériau semi-conducteur
Brevet : Dispositif de projection homothétique d\'un motif à la surface d\'un échantillon, procède de lithographie utilisant un tel dispositif.
Microscopies électroniques TEM, MEB et LEEM/PEEM
XPS, UPS, ARUPS
Laboratoire d\'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface (LENSIS)
 X-ray Photoelectron Diffraction(XPD)
Ferroélectricité de couches minces nanométriques
Ferroélectricité de couches minces nanométriques
Ferroélectricité de couches minces nanométriques
Ferroélectricité de couches minces nanométriques
Ferroélectricité de couches minces nanométriques
Ouverture par atomes d’hydrogène de nanotunnels sous la surface d’un semiconducteur, le carbure de silicium
Ouverture par atomes d’hydrogène de nanotunnels sous la surface d’un semiconducteur, le carbure de silicium
Ouverture par atomes d’hydrogène de nanotunnels sous la surface d’un semiconducteur, le carbure de silicium
Commutation électronique de la polarisation dans des oxydes ferroélectriques
Commutation électronique de la polarisation dans des oxydes ferroélectriques
Commutation électronique de la polarisation dans des oxydes ferroélectriques
Commutation électronique de la polarisation dans des oxydes ferroélectriques
Commutation électronique de la polarisation dans des oxydes ferroélectriques
Découverte expérimentale  d’événements extrêmes dissipatifs de l\'énergie, à petite échelle dans un écoulement turbulent
Découverte expérimentale  d’événements extrêmes dissipatifs de l\'énergie, à petite échelle dans un écoulement turbulent
Découverte expérimentale  d’événements extrêmes dissipatifs de l\'énergie, à petite échelle dans un écoulement turbulent
Effet de la proximité de la surface, de la mémoire des macles ferroélectriques et du tweed dans la phase paraélectrique du BaTiO3
 

 

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