CEA
CNRS
Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé


Brevet : Elément magnétorésistif ayant une meilleure réponse aux champs magnétiques
P. Campiglio, B. Cadugan, C. Fermon et R. Lassalle-Balier
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Numéro d’identification: WO/2015/105834 (lien WIPO
Numéro d’identification CEA BD 15504               
Année de dépôt : 09.01.2014   
Date de publication : 16-07-2015

Elément magnétorésistif ayant une meilleure réponse aux champs magnétiques
Un élément magnétorésistif présente un agencement de piégeage comprenant deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques, deux couches piégées et une couche libre. Une couche d'espacement entre l'une des deux couches de piégeage antiferromagnétiques et la couche libre présente un matériau sélectionné pour permettre un piégeage partiel régulable par l'une des deux couches de piégeage anti-ferromagnétiques.


Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields (WIPO Link)

A magnetoresistance element has a pinning arrangement with two antiferromagnetic pinning layers, two pinned layers, and a free layer. A spacer layer between one of the two antiferromagnetic pinning layers and the free layer has a material selected to allow a controllable partial pinning by the one of the two antiferromagnetic pinning layers. 


Contact: C. Fermon.

 
#2676 - Màj : 08/01/2017

 

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