CEA
CNRS
Univ. Paris-Saclay

Service de Physique de l'Etat Condensé

Brevets 2010

01 juillet 2010
L. Nougaret, H. Happy, G. Dambrine, V. Derycke et J.P. Bourgoin

Numéro d'identification : WO/2010/072924 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 22.12.2009
Date de publication : 01.07.2010

Dispositif pour la caractérisation de composants électriques ou électroniques

Dispositif intégré (PM) pour la caractérisation de composants électriques ou électroniques (DUT), en particulier nanométriques, comportant un substrat (S) sensiblement isolant sur lequel sont déposés quatre plots conducteurs (P1, P2, P3, P4), au moins trois pistes résistives (R1, R3, R4) reliant les plots entre eux et une ligne de transmission (CPW) comportant un conducteur de signal (CC) et au moins un conducteur de masse (CL1, CL2). Les pistes résistives sont agencées pour relier le premier plot conducteur au deuxième et quatrième plot, et ce quatrième plot au troisième ; le conducteur de signal de la ligne de transmission est relié au premier plot conducteur; et le conducteur de masse de la ligne de transmission est relié au troisième.


Device for characterising electric or electronic components (WIPO link)

The invention relates to an integrated device (PM) for characterising electric or electronic components (DUT), in particular nanometric ones, comprising a substantially insulating substrate (S) on which are provided four conducting pads (P1, P2, P3, P4), at least three resistive pads (R1, R3, R4) connecting said pads together, and a transmission line (CPW) including a signal conductor (CC) and at least one ground conductor (CL1, CL2), wherein: the resistive pads are arranged so as to connect a first conducting pad to a second and a fourth conducting pad, and to connect the fourth conducting pad to the third ; the signal conductor of the transmission line is connected to the first conducting pad; and the ground conductor of the transmission line is connected to the third pad.

Contact: V. Derycke

20 mai 2010
A. Barbier, O. Bezencenet, D. Bonamy

Numéro d'identification : WO 2010/055238 (Lien WIPO)
Numéro d'identification CEA BD 10 975
Année de dépôt : 12-11-2008
Date de publication : 20.05.2010

Procédé de fabrication d'une couche d'un matériau antiferromagnétique à structures magnétiques contrôlées
L'invention concerne un procédé de fabrication de couches antiferromagnétiques, et plus particulièrement celles qui sont utilisées en électronique de spin. Le procédé comporte les étapes suivantes : - Le dépôt (1) sur un substrat d'une première couche sur une épaisseur suffisante pour établir un ordre magnétique déterminé parmi l'un des ordres ferrimagnétique, ferromagnétique, paramagnétique ou diamagnétique; après établissement de l'ordre, - L'application (2) d'un champ magnétique dont l'amplitude et la durée sont suffisants pour déplacer les parois des domaines magnétiques de la première couche d'une première répartition statistique vers une deuxième répartition statistique. - Un dépôt (3), sur la  première couche dont les parois des domaines magnétiques ont été déplacées, d'une seconde couche d'un matériau antiferromagnétique dans lequel peut s'intégrer par diffusion lors de la croissance l'un au moins des composants du matériau de la première couche.


Process for fabricating a film of an antiferromagnetic material with controlled magnetic structures
(WIPO link)

The invention relates to a process for fabricating antiferromagnetic films, and more particularly those that are used in spintronics. The process according to the invention comprises the following steps: - The deposition (1) on a substrate of a first film with a thickness sufficient to establish a defined magnetic order from one of the ferrimagnetic, ferromagnetic, paramagnetic and diamagnetic orders; after said order has been established,- The application (2) of a magnetic field having an amplitude and a duration that are sufficient to shift the magnetic domain walls of said first film from a first random distribution to a second random distribution- The deposition (3), on said first film that has had its magnetic domain walls shifted, of a second film of an antiferromagnetic material into which, during growth, at least one of the components of material of said first film may be integrated by diffusion.

Contact: A. Barbier.

28 octobre 2010
O. Klein , G. De Loubens et B. Pigeau

Numéro d’identification : WO/2010/122126 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD 11274
Année de dépôt : 23.04.2009
Date de publication : 28.10.2010

Dispositif de stockage à tourbillon magnétique

La présente invention concerne un dispositif de stockage magnétique comprenant un réseau de cellules magnétiques planaires contenant un vortex. Chaque vortex au centre des cellules présente une magnétisation avec deux positions d'équilibre selon des directions opposées et perpendiculaires au plan cellulaire. Chaque élément à 2 états permet de coder une information binaire. Le dispositif comprend des moyens permettant d'écrire des informations binaires stockées dans les cellules, et pour appliquer de manière sélective, à proximité de chaque cellule, un premier champ magnétique statique de polarisation grossièrement perpendiculaire audit plan cellulaire et un champ magnétique à fréquence radio polarisé de manière linéaire grossièrement parallèle au dit dispositif. Le dispositif décrit comprend également des moyens pour lire, de préférence par résonance, la polarité en utilisant une mesure de transport sélective entre les électrodes se coupant et en guidant les lignes de courant à travers la région autour du noyau du tourbillon au moyen d'un contact ponctuel.

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Magnetic vortex storage device
(WIPO link)

This invention relates to a magnetic storage device comprising a network of planar magnetic cells in a vortex state, each cell's vortex core having a magnetization with either a first and second equilibrium position in opposite direction and perpendicular to the cellular plane, each of the two positions representing binary information. The device comprises means for writing binary information stored in the cells, including means for selectively applying, in the vicinity of each cell, a first bias static magnetic field roughly perpendicular to the said cellular plane and a linearly polarized radio frequency magnetic field roughly parallel to said device. The described device also comprises means for reading preferably resonantly the polarity using a selective transport measurement between two intersecting electrodes and by guiding the current lines through the region around the vortex core by means of a point contact.

Contact: O. Klein.

12 août 2010

Numéro d'identification : WO 2010/089395 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 06.02.2009
Date de publication : 12.08.2010

Procédé et kit de séparation de nanotubes de carbone métalliques et semi-conducteurs

L'invention concerne un procédé de séparation des nanotubes de carbone monoparoi (simple couche de graphène) métalliques (m-SWNT) et des nanotubes monoparois semi-conducteurs (sc-SWNT). Le procédé comprend une étape de greffage, notamment par greffage chimique radicalaire, d'un dérivé de sel de diazonium sur un mélange de m-SWNT et de sc-SWNT de façon à obtenir un mélange de m-SWNT greffés et de sc-SWNT non-greffés, moyennant quoi les m-SWNT greffés et les sc-SWNT non-greffés se séparent du fait de propriétés chimiques et/ou physiques différentielles causées par ledit greffage. L'invention concerne également un kit pour la séparation des m-SWNT et des sc-SWNT.


Method and kit for separating metal and semiconductor carbon nanotubes (WIPO link)

The invention relates to a method for separating metallic carbon nanotubes with a single layer of graphene (m-SWNT) and semiconductor nanotubes with a single layer of graphene (sc-SWNT) including a step of grafting, in particular by the radical chemical grafting of a diazonium salt by-product on a mixture of m-SWNTs and sc-SWNTs so as to obtain a mixture of grafted m-SWNTs and non-grafted sc-SWNTs. The grafted m-SWNTs and non-grafted sc-SWNTs are separated due to differential chemical and/or physical properties caused by the grafting. The invention also relates to a kit for separating m-SWNTs and sc-SWNTs.

Contact: P. Chenevier

12 août 2010

Numéro d'identification : WO 2010/089395 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 06.02.2009
Date de publication : 12.08.2010

Procédé et kit de séparation de nanotubes de carbone métalliques et semi-conducteurs

L'invention concerne un procédé de séparation des nanotubes de carbone monoparoi (simple couche de graphène) métalliques (m-SWNT) et des nanotubes monoparois semi-conducteurs (sc-SWNT). Le procédé comprend une étape de greffage, notamment par greffage chimique radicalaire, d'un dérivé de sel de diazonium sur un mélange de m-SWNT et de sc-SWNT de façon à obtenir un mélange de m-SWNT greffés et de sc-SWNT non-greffés, moyennant quoi les m-SWNT greffés et les sc-SWNT non-greffés se séparent du fait de propriétés chimiques et/ou physiques différentielles causées par ledit greffage. L'invention concerne également un kit pour la séparation des m-SWNT et des sc-SWNT.


Method and kit for separating metal and semiconductor carbon nanotubes (WIPO link)

The invention relates to a method for separating metallic carbon nanotubes with a single layer of graphene (m-SWNT) and semiconductor nanotubes with a single layer of graphene (sc-SWNT) including a step of grafting, in particular by the radical chemical grafting of a diazonium salt by-product on a mixture of m-SWNTs and sc-SWNTs so as to obtain a mixture of grafted m-SWNTs and non-grafted sc-SWNTs. The grafted m-SWNTs and non-grafted sc-SWNTs are separated due to differential chemical and/or physical properties caused by the grafting. The invention also relates to a kit for separating m-SWNTs and sc-SWNTs.

Contact: P. Chenevier

 

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