• Objectif : Réaliser un prototype de source d’EUV pour la nanolithographie (motif < 32nm)
• Principe : focaliser des faisceaux lasers IR (6) de forte puissance sur un micro-jet de xénon
• Meilleure performance : 7.7 W à 6 kHz, dans 2p sr et 2% de Bande passante autour de 13.5 nm.

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