Quand un substrat de silicium localement dopé est soumis à l’électrogreffage du méthacrylonitrile, la microscopie optique et la profilométrie révèlent qu’un film de polyacrylonitrile est essentiellement greffé sur les zones non dopées du substrat (Figure 1). La différence d’épaisseur du film greffé entre les zones dopées et les zones non dopées plafonne à 100nm environ après quelques balayages de potentiel.
L’origine de cette localisation du greffage est aisément comprise quand la surface du silicium localement dopé est préalablement desoxygénée. En effet, après traitement au HF, le substrat soumis à l’électrogreffage révèle un film parfaitement homogène et dont l’épaisseur ne vair nullement avec la localisation des zones dopées, comme s’il s’agissait d’une surface de silicium dopée de façon uniforme. (Figure 2, droite) De plus, si la surface desoxygénée est placée en conditions oxydantes (solution piranha) avant l’électrogreffage, pour que l’oxyde natif se reforme, le film électrogreffé est de nouveau localisé. (Figure 2, gauche)
Ainsi, la localisation du greffage dans ces conditions provient essentiellement de la couche de silice, isolante, qui décale légèrement le potentiel effectivement ressenti par les monomères électroactifs en solution. Comme cette couche de silice est connue pour être légèrement plus épaisse lorsqu’elle croît au dessus d’une zone dopée qu’au dessus d’une zone peu dopée, c’est bien le niveau de dopage qui contrôle indirectement l’épaisseur du film de polymère électrogreffé.