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Les archives de l'IRAMIS et du DRECAM / Archives of DRECAM and IRAMIS › Matériaux, surfaces et nanostructures
• Institut Rayonnement Matière de Saclay • IRAMIS: Saclay Institute of Matter and Radiation • Laboratory of Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces • Service de Physique et Chimie des Surfaces et des Interfaces
• Laboratory of Nanostructures Studies and Surface Imagery (LENSIS) • Laboratoire d'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface (LENSIS)
Illustration schématique de la fabrication d'une couche de silicium conformément à l'invention
Numéro d'identification : WO/2001/039257 (lien OMPI et lFichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1285
Année de dépôt : 25-11-1999
Date de publication : 31-05-2001
Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche
La présente invention concerne une couche de silicium qui est très sensible à l'oxygène ainsi qu'un procédé d'obtention de cette couche. La couche est formée sur un substrat, par exemple en SiC, et a une sur-structure de surface 4x3. Pour l'obtenir, on dépose de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.
Couche de silicium tres sensible a l'oxygene et procede d'obtention de cette couche
(Lien WIPO)
The present patent concerns a silicon layer that is hioghly sensitive to oxygen and the process to elaborate this layer. The invention concerns a layer formed on a substrate, for example a SiC layer, having a 4x3 surface structure. The process for obtaining such a layer consists in depositing silicon substantially evenly on a surface of the substrate. The invention is useful in particular in microelectronics.
Contact : P. Soukiassian
