Sujet de stage / Master 2 Internship

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Croissance contrôlée de nanotubes de carbone alignés sur supports métalliques pour application au stockage de l’énergie

Spécialité : CHIMIE / Chimie des matériaux

Contact : PINAULT Mathieu,
e-Mail : mathieu.pinault@cea.fr,   Tel : +33 1 69 08 91 87
Laboratoire : NIMBE/LEDNA

Stage pouvant se poursuivre en thèse : Oui
Durée du stage : 0-6 mois
Date limite de constitution de dossier : 13/04/2018

Résumé :
Contrôler la synthèse des tapis de NTC alignés (alignement, longueur...) sur supports métalliques (feuilles d’Al ou alliages). Comprendre les mécanismes de croissance en menant des analyses de l’interface NTC/Al et des analyses in-situ

Sujet détaillé :
La méthode de CVD (Chemical Vapour Deposition) à partir d’aérosols permet d’obtenir des tapis denses de nanotubes de carbone (NTC) alignés dont les applications sont prometteuses dans des domaines variés et en particulier dans le domaine des électrodes de supercondensateurs pour le stockage électrochimique de l’énergie [1]. La croissance de NTC alignés sur des supports métalliques d’intérêt, qui jouent le rôle de collecteurs de courant dans des électrodes de supercondensateurs, nécessite un abaissement de la température de croissance des NTC alignés jusqu’à une température inférieure à 650°C. L’objectif du projet est de contrôler la synthèse des tapis de NTC alignés sur supports métalliques (feuilles d’Al ou alliages). L’approche adoptée consistera d’une part à mener des études expérimentales visant à ajuster les paramètres de synthèse (température, gaz, nature des précurseurs carbonés ou du support…) dans le but de maitriser les caractéristiques des NTC formés (alignement, longueur…). D’autre part, nous chercherons à comprendre les mécanismes de croissance en menant des analyses ex-situ sur des échantillons obtenus dans des conditions particulières comme par exemple des analyses de l’interface NTC/Al et des analyses in-situ directement pendant la synthèse des nanotubes.
Techniques utilisées au cours du stage :
CVD, SEM, TEM, TGA, Raman

Mots clés :

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