| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST| Contact | Français
Confinement and hyperfine structure in chalcogen doped silicon nanowires
Guido Petretto, A. Debernardi and M. Fanciulli
Laboratorio MDM - IMM - CNR - Agrate Brianza
Tue, Feb. 14th 2012, 10:30
SRMP Bât 520 p.109, CEA-Saclay

Laboratorio MDM - IMM - CNR - Agrate Brianza
et
Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita degli Studi di Milano-Bicocca Italy


Abstract :

Silicon nanowires are promising candidates for future nanodevices and for quantum information applications. In light of these possible applications we have performed ab initio simulations to obtain informations about the electronic properties when dimensions reduce to nanometric scale.

We have studied the electronic properties and hyperfine structure of substitutional chalcogens in silicon nanowires using plane-wave pseudopotential techniques. We simulated hydrogen passivated nanowires with various orientations and diameter up to 2 nm, analyzing the effect of quantum confinement on the defect formation energy and on the hyperfine parameters as a function of the diameter and of the defect position. We show that substitutional Se in silicon has favourable configurations for positions near the surface with possible formation of chalcogen-hydrogen complexes. We also show that hyperfine interactions increase at small diameters, as long as the nanowire is large enough to prevent surface distortion which modifies the symmetry of the donor wavefunction. Moreover, surface effects lead to strong differences in the hyperfine parameters depending on the Se location inside the nanowire, allowing the identification of impurity site on the basis of the EPR spectra.

Contact : Luc BARBIER

 

Séminaire SRMP - Informations pratiques

Entrée sur le site du CEA de Saclay pour les séminaires SRMP

Afin de pouvoir entrer sur le site du CEA de Saclay veuillez adresser les données personnelles suivantes par courriel à :
(secrétariat) un avis d’entrée vous sera alors délivré :

 

Nom :

Prénom :

Date et lieu de naissance :

Nationalité :

Nom de l'employeur :

 

Ces informations doivent être envoyées au mieux deux jours avant la date du séminaire.>

Lors de votre venue vous devez vous présenter avec une carte d'identité ou un passeport en cours de validité. L'entrée sur le site se fait par l'entrée principale ou porte Nord (suivre le lien ci-dessous), un badge vous y sera remis. Demandez à l'accueil le Bât.520, ils vous renseigneront.
Les séminaires se déroulent au Bât. 520, pièce 109 (1er étage).
En cas de problème vous pouvez contacter le secrétariat au : 01 69 08 51 67


Formalities for entering the CEA Saclay site for SRMP seminars

To enter in CEA Saclay you need to send the following personal data to   (secretariat):

Informations utiles/Practical informations - Contact:

Informations:  Access to the CEA Saclay

 

Contact:

 

Last Name :

First Name :

Place and date of birth :

Nationality :

Employer Name :

These informations must be preferably sent at least two days before the seminar date.

 

When you come you must have a valid ID card or passport with you.

The entrance in CEA Saclay is through the main entrance or north entrance (see link below), a pass will be delivered. Ask at the “accueil” the path for the building 520. SRMP seminars take place in room 109 (first floor).

Any questions/troubles do not hesitate to contact our secretariat: 33 (0)1 01 69 08 51 67.


 

#38 - Last update : 11/02/2013

 

Retour en haut