| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST| Contact | Français

Patents 2011

15-12-2011
T. Berthelot et H. Volland

Numéro d'identification: WO/2013/087888 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD 13023
Année de dépôt : 15-12-2011
Date de publication : 20.06.2013

Système microfluidique 3d à zones emboîtées et réservoir intégré, son procédé de préparation et ses utilisations

L’invention concerne un système microfluidique tridimensionnel (ou 3D) comprenant une pluralité de couches (1, 3, 5, 7, 9) empilées les unes sur les autres, caractérisé en ce qu'au moins une desdites couches est constituée d'une 1ère (3) et d'au moins une 2nde (10) parties, distinctes l'une de l'autre, avec la 2nde partie poreuse et mouillable par une solution d'intérêt s'emboîtant dans un évidement de la 1ère partie non poreuse et/ou non mouillable par ladite solution d'intérêt, ledit système pouvant éventuellement présenter un réservoir intégré; son procédé de fabrication et ses différentes utilisations


3d microfluidic system having nested areas and a built-in reservoir, method for the preparing same, and uses thereof (WIPO link)

The present invention relates to a three-dimensional (or 3D) microfluidic system including a plurality of layers (1, 3, 5, 7, 9) stacked on top of one another, characterized in that at least one of said layers consists of a first (3) and at least a second (10) portion which are separate from each other, wherein the second portion, which is porous and wettable by a solution of interest, is nested in a recess of the first portion, which is nonporous and/or non-wettable by said solution of interest, said system optionally comprising a built-in tank. The invention further relates to a method for manufacturing said system, and to the various uses thereof.

Contact T. Berthelot.

 

23-09-2011
Z. Weisheng, C. Camrat, G. Agnus, V. Derycke et J.P. Bourgoin

Numéro d’identification : WO/2010/106116 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD
Année de dépôt : 17-03-2010
Date de publication : 23.09.2010

Circuit de réseau neuronal comprenant des nano synapses et des neurones CMOS

L'invention concerne un circuit de réseau neuronal comprenant des nano dispositifs (411-415, 421-425) jouant le rôle de synapses et des circuits CMOS (201, 202) jouant le rôle de neurones. Elle trouve une application toute particulière dans les circuits et systèmes de calcul faisant appel à des fonctions complexes ou traitant d'énormes quantités de données. Comparée à l'état de la technique, cette architecture promet une faible surface occupée, des vitesses élevées dues à un apprentissage hyperparallèle et une faible consommation. Les nano dispositifs (411-415, 421-425) comprennent deux bornes et sont reliés à des conducteurs en ligne (221, 222) et à des conducteurs en colonne (231-235) à la manière d'une matrice. Un circuit CMOS (201, 202) est relié à une extrémité de chaque conducteur en ligne (221, 222). Une caractéristique électrique entre les deux bornes de chaque nano dispositif (411-415, 421-425) est susceptible d'être modifiée par un signal appliqué à la deuxième borne. Le circuit de réseau neuronal comprend en outre, pour chaque conducteur en ligne (221, 222), des moyens (401, 402) conçus pour empêcher la modification des caractéristiques électriques des nano dispositifs (411-415, 421-425) reliés au conducteur en ligne (221, 222) correspondant par un signal appliqué à la deuxième borne de ces nano dispositifs.


Neural network circuit comprising nanoscale synapses and cmos neurons (WIPO link)

The invention relates to a neural network circuit comprising nanoscale devices (411-415, 421-425) acting as synapses and CMOS circuits (201, 202) acting as neurons. It finds a particular interest for computing circuits and systems involving complex functions or handling of huge amounts of data. Comparing with the existing proposals, this architecture promises small die area, high speed thanks to massively parallel learning and low power. The nanoscale devices (411-415, 421-425) comprise two terminals and are connected to row conductors (221, 222) and to column conductors (231-235) in a matrix-like fashion. A CMOS circuit (201, 202) is connected at one end of each row conductor (221, 222). An electrical characteristic between the two terminals of each nanoscale device (411-415, 421-425) is able to be modified by a signal applied to the second terminal. The neural network further comprises, for each row conductor (221, 222), means (401, 402) for preventing the electrical characteristics of the nanoscale devices (411-415, 421-425) connected to the considered row conductor (221, 222) from being modified by a signal applied to the second terminal of said nanoscale devices.

Contact: V. Derycke
06-07-2011
B. Jousselme et A.M. Morozan

Numéro d’identification : WO 2013/005187  (lien OMPI
Numéro d’identification CEA BD 12879
Année de publication 10-01-2013
Année de dépôt: 06-07-2011

Procédé de préparation de nanotubes de carbone contenant de l'azote et exempts de métal

La présente invention concerne un procédé de préparation de nanotubes de carbone contenant de l'azote (NCNT) et exempts de métal, ayant une structure cœur/écorce, dans laquelle le cœur est composé de carbone et l'écorce est principalement composée de carbone et d'azote. L'invention concerne également des nanotubes de carbone contenant de l'azote (NCNT) et exempts de métal, pouvant être obtenus au moyen dudit procédé, et leur utilisation comme catalyseur intervenant dans des réactions de réduction d'oxygène, notamment dans des milieux alcalins de piles à combustible.


 Method for preparing metal-free nitrogen-containing carbon nanotubes (WIPO link)

The present invention relates to a method for preparing metal-free nitrogen-containing carbon nanotubes (NCNTs) having a core/shell structure, in which the core is composed of carbon and the shell is mainly composed of carbon and nitrogen. The invention also relates to metal-free nitrogen-containing carbon nanotubes (NCNTs) obtainable by said method and to their use as a catalyst for oxygen reduction reactions, notably in alkaline media in fuel cells.

Contact: B. Jousselme.

 

21-04-2011
L. Tortech, S. Berny et Denis Fichou

Numéro d’identification : WO/2011/045478 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 11475                     
Année de dépôt : 13.10.2009
Date de publication : 21.04.2011

Dérives de type dipyrannylidene comme couche interfaciale anodique dans des dispositifs électroniques

L’invention est relative à des substrats revêtus de films comprenant des composés de formule générale (I) suivante : formule (I) ainsi qu'à leur procédé de fabrication et à leur utilisation comme couche interfaciale anodique dans des dispositifs électroniques. La présente invention concerne également des diodes électroluminescentes organiques (OLED), des diodes électroluminescentes polymériques (PLED), des transistors organiques à effet de champ (OFET) et des cellules solaires organiques (OSV) comprenant un substrat selon l'invention, des cellules solaires organiques spécifiques et leur procédé de fabrication. Des composés de formule (I) en tant que tels font également partis de l'invention.


Dipyrannylidene derivatives as an anode interfacial layer in electronic devices
(WIPO link)

The present invention relates to substrates coated with films including compounds having the following generic formula (I): formula (I) as well as the manufacturing method thereof and the use of same as an anode interfacial layer in electronic devices. The present invention also relates to organic light-emitting diodes (OLEDs), polymer light-emitting diodes (PLEDs), organic field-effect transistors (OFETs) and organic solar cells (OSCs) including a substrate according to the invention, specific organic solar cells and the manufacturing method thereof. Compounds of formula (I) as such are also part of the invention.

Contact: Denis Fichou.

29-03-2011
R. Metaye et F. Grisotto

Numéro d’identification : WO/2011/117407 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 11723                  
Année de dépôt : 26-03-2010
Date de publication : 29-03-2011

Procédé pour graver une couche d'oxyde métallique conducteur utilisant une microélectrode
L'invention concerne un procédé pour graver une zone sélectionnée d'une couche d'oxyde métallique conducteur déposée sur un support, consistant à éliminer ladite zone par voie électrochimique en présence d'une microélectrode polarisée et d'une solution électrochimique. La présente invention concerne également la couche gravée obtenue par un tel procédé.


Method for etching conductive metal oxide layer using microelectrode
(WIPO link)

The invention relates to a method for etching a selected area of a conductive metal oxide layer deposited onto a substrate, said method involving the electrochemical removal of said area in the presence of a polarized microelectrode and an electrochemical solution. The present invention also relates to the etched layer that is achieved by such a method.

03-03-2011
D Sakellariou , C. Hugon et G. Aubert

Numéro d’identification : WO 2011/023912 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA : BD
Année de dépôt : 28.08.2009
Année de publication : 03.03.2011

Assemblage de structures aimantées coaxiales induisant en son centre un champ homogène longitudinal

La structure aimantée induisant dans une zone d'intérêt centrale un champ magnétique homogène orienté selon un axe longitudinal (z) de la structure, comprend deux couronnes aimantées (111, 121) disposées de façon symétrique par rapport à un plan (P) perpendiculaire à l'axe longitudinal (z) définissant la zone d'intérêt centrale. Une structure aimantée annulaire médiane (330) est interposée entre ces deux couronnes aimantées (111, 121) et est disposée de façon symétrique par rapport au plan (P). La première couronne (111) est aimantée radialement par rapport à l'axe longitudinal (z) avec une aimantation divergente, la deuxième couronne (121) est aimantée radialement par rapport à l'axe longitudinal (z) avec une aimantation convergente, et la structure annulaire médiane (330) est aimantée selon l'axe longitudinal (z). La structure aimantée annulaire médiane (330) est divisée en deux tranches (331A, 331B, 332A, 332B) selon l'axe longitudinal (z) et les première et deuxième couronnes aimantées (111, 121), ainsi que les diverses tranches (331A, 331B, 332A, 332B) de la structure aimantée annulaire médiane (330), sont divisées chacune en éléments constitutifs en forme de secteurs régulièrement répartis.


Assembly of magnetised coaxial structures inducing a longitudinal homogeneous field in the centre thereof. (WIPO link)

The invention relates to a magnetised structure inducing, in a central zone of interest, a homogeneous magnetic field oriented along a longitudinal axis (z) of the structure, said structure comprising first and second magnetised crowns (111, 121) arranged symmetrically in relation to a plane (P) perpendicular to the longitudinal axis (z) and containing the central zone of interest, and a median annular magnetised structure (330) inserted between the first and second magnetised crowns (111, 121) and also arranged symmetrically in relation to the plane (P) of symmetry. The first magnetised crown (111) is radially magnetised in relation to the longitudinal axis (Z) with a divergent magnetisation, the second magnetised crown (121) is radially magnetised in relation to the longitudinal axis (z) with a convergent magnetisation, and the median annular magnetised structure (330) is magnetised along the longitudinal axis (z). The median (330) annular magnetised structure is divided into at least two sections (331A, 331B, 332A, 332B) along the longitudinal axis (z), and the first and second magnetised crowns (111, 121) and the various sections (331A, 331B, 332A, 332B) of the median annular magnetised structure (330) are each divided into constitutive elements in the form of regularly distributed sectors.

Contact: D. Sakellariou

03-03-2011
D Sakellariou , C. Hugon et G. Aubert

Numéro d’identification : WO 2011/023913 (Lien OMPI)
Numéro d’identification CEA : BD
Année de dépôt : 28.08.2009
Année de publication : 03.03.2011

Structure aimantée induisant en son centre un champ homogène d'orientation prédéterminée

Une structure aimantée induisant dans une zone d'intérêt centrale un champ magnétique homogène d'orientation prédéterminée par rapport à un axe longitudinal (z) de la structure, comprend deux couronnes aimantées (110, 120) disposées de façon symétrique par rapport à un plan (P), perpendiculaire à l'axe longitudinal (z) et contient la zone d'intérêt centrale. Une structure aimantée annulaire médiane est partiellement interposée entre les deux couronnes aimantées (110, 120) et disposée de façon symétrique par rapport au plan (P) de symétrie. L'une (110) des deux couronnes aimantées est aimantée radialement par rapport à l'axe longitudinal (z) avec une aimantation divergente, et l'autre (120) est aimantée radialement par rapport à l'axe longitudinal (z) avec une aimantation convergente. La structure aimantée annulaire médiane est aimantée avec une orientation différente de celle de l'aimantation des deux couronnes aimantées (110, 120). La structure aimantée annulaire médiane comprend au moins une couronne aimantée (150) présentant une distribution d'aimantation dont l'orientation varie comme dans les dipôles de Halbach et les deux premières couronnes aimantées (110, 120) ainsi que la structure aimantée annulaire médiane sont divisées chacune en éléments constitutifs individuels en forme de secteurs identiques régulièrement répartis.


Magnetised structure inducing a homogeneous field, in the centre thereof, with a pre-determined orientation (WIPO link)

The invention relates to a magnetised structure inducing a homogeneous magnetic field in a central zone of interest, the orientation of said field being pre-determined in relation to a longitudinal axis (z) of the structure. Said structure comprises at least two magnetised crowns (110, 120) symmetrically arranged in relation to a plane (P) that is perpendicular to the longitudinal axis (Z) and contains the central zone of interest, and at least one median annular magnetised structure at least partially inserted between the two magnetised crowns (110, 120) and also arranged symmetrically in relation to the plane (P) of symmetry, one (110) of the two magnetised crowns being radially magnetised in relation to the longitudinal axis (z) with a divergent magnetisation, and the other (120) of the two magnetised crowns being radially magnetised in relation to the longitudinal axis (z) with a convergent magnetisation. The median annular magnetised structure is magnetised with an orientation different from that of the magnetisation of the two magnetised crowns (110, 120). The median annular magnetised structure comprises at least one magnetised crown (150) having a magnetisation distribution with an orientation that varies as in the Halbach dipoles, and the two first magnetised crowns (110, 120) and the median annular magnetised structure are each divided into individual constitutive elements in the form of regularly distributed identical sections.

Contact: D. Sakellariou.

14-01-2011
B. Mouanda, F. Nekelson, et G. Deniau

Numéro d’identification : WO/2010/112610 (Lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD 11094
Année de dépôt : 02.04.2009
Date de publication : 07.10.2010

Procédé pour modifier l'énergie de surface d'un solide
La présente invention concerne un procédé et un kit pour modifier l'énergie de surface de la surface d'un solide. Le procédé comprend une étape de greffage sur ladite  surface d'un film organique polymère constitué de polymères greffés, chaque polymère présentant un premier motif directement lié à ladite surface issu d'un sel d'aryle clivable et au moins un autre motif de la chaîne polymérique issu d'un élément choisi dans le groupe constitué par un sel d'aryle clivable fluoré, un (méth)acrylate fluoré et un siloxane à terminaisons vinyliques.


Method for modifying the surface energy of a solid
(WIPO link)

The present invention relates to a method and to a kit for modifying the surface energy of at least one surface of a solid, including a step consisting of grafting an organic polymer film consisting of graft polymers onto said surface, each polymer having a first unit directly bonded to said surface, derived from a cleavable aryl salt, and at least one other unit of the polymer chain, derived from an element selected from the group consisting of a fluorinated cleavable aryl salt, a fluorinated (meth)acrylate and a vinyl-terminated siloxane.

Contact: G. Deniau.

15-12-2011
T. Berthelot et H. Volland

Numéro d'identification: WO/2013/087888 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD 13023
Année de dépôt : 15-12-2011
Date de publication : 20.06.2013

Système microfluidique 3d à zones emboîtées et réservoir intégré, son procédé de préparation et ses utilisations

L’invention concerne un système microfluidique tridimensionnel (ou 3D) comprenant une pluralité de couches (1, 3, 5, 7, 9) empilées les unes sur les autres, caractérisé en ce qu'au moins une desdites couches est constituée d'une 1ère (3) et d'au moins une 2nde (10) parties, distinctes l'une de l'autre, avec la 2nde partie poreuse et mouillable par une solution d'intérêt s'emboîtant dans un évidement de la 1ère partie non poreuse et/ou non mouillable par ladite solution d'intérêt, ledit système pouvant éventuellement présenter un réservoir intégré; son procédé de fabrication et ses différentes utilisations


3d microfluidic system having nested areas and a built-in reservoir, method for the preparing same, and uses thereof (WIPO link)

The present invention relates to a three-dimensional (or 3D) microfluidic system including a plurality of layers (1, 3, 5, 7, 9) stacked on top of one another, characterized in that at least one of said layers consists of a first (3) and at least a second (10) portion which are separate from each other, wherein the second portion, which is porous and wettable by a solution of interest, is nested in a recess of the first portion, which is nonporous and/or non-wettable by said solution of interest, said system optionally comprising a built-in tank. The invention further relates to a method for manufacturing said system, and to the various uses thereof.

Contact T. Berthelot.

 

06-07-2011
B. Jousselme et A.M. Morozan

Numéro d’identification : WO 2013/005187  (lien OMPI
Numéro d’identification CEA BD 12879
Année de publication 10-01-2013
Année de dépôt: 06-07-2011

Procédé de préparation de nanotubes de carbone contenant de l'azote et exempts de métal

La présente invention concerne un procédé de préparation de nanotubes de carbone contenant de l'azote (NCNT) et exempts de métal, ayant une structure cœur/écorce, dans laquelle le cœur est composé de carbone et l'écorce est principalement composée de carbone et d'azote. L'invention concerne également des nanotubes de carbone contenant de l'azote (NCNT) et exempts de métal, pouvant être obtenus au moyen dudit procédé, et leur utilisation comme catalyseur intervenant dans des réactions de réduction d'oxygène, notamment dans des milieux alcalins de piles à combustible.


 Method for preparing metal-free nitrogen-containing carbon nanotubes (WIPO link)

The present invention relates to a method for preparing metal-free nitrogen-containing carbon nanotubes (NCNTs) having a core/shell structure, in which the core is composed of carbon and the shell is mainly composed of carbon and nitrogen. The invention also relates to metal-free nitrogen-containing carbon nanotubes (NCNTs) obtainable by said method and to their use as a catalyst for oxygen reduction reactions, notably in alkaline media in fuel cells.

Contact: B. Jousselme.

 

21-04-2011
L. Tortech, S. Berny et Denis Fichou

Numéro d’identification : WO/2011/045478 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 11475                     
Année de dépôt : 13.10.2009
Date de publication : 21.04.2011

Dérives de type dipyrannylidene comme couche interfaciale anodique dans des dispositifs électroniques

L’invention est relative à des substrats revêtus de films comprenant des composés de formule générale (I) suivante : formule (I) ainsi qu'à leur procédé de fabrication et à leur utilisation comme couche interfaciale anodique dans des dispositifs électroniques. La présente invention concerne également des diodes électroluminescentes organiques (OLED), des diodes électroluminescentes polymériques (PLED), des transistors organiques à effet de champ (OFET) et des cellules solaires organiques (OSV) comprenant un substrat selon l'invention, des cellules solaires organiques spécifiques et leur procédé de fabrication. Des composés de formule (I) en tant que tels font également partis de l'invention.


Dipyrannylidene derivatives as an anode interfacial layer in electronic devices
(WIPO link)

The present invention relates to substrates coated with films including compounds having the following generic formula (I): formula (I) as well as the manufacturing method thereof and the use of same as an anode interfacial layer in electronic devices. The present invention also relates to organic light-emitting diodes (OLEDs), polymer light-emitting diodes (PLEDs), organic field-effect transistors (OFETs) and organic solar cells (OSCs) including a substrate according to the invention, specific organic solar cells and the manufacturing method thereof. Compounds of formula (I) as such are also part of the invention.

Contact: Denis Fichou.

28-09-2011
O. Klein, G. De Loubens et B. Pigeau

Numéro d’identification : WO/2010/122126 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD                      
Année de dépôt : 23.04.2009
Date de publication : 28.10.2010

Dispositif de stockage à tourbillon magnétique

L’invention concerne un dispositif de stockage magnétique (1) comprenant un réseau de cellules magnétiques planaires (4) à l'état de tourbillon, chacun des noyaux de tourbillon des cellules présentant une magnétisation avec soit une première soit une seconde position d'équilibre suivant des directions opposées et perpendiculaires au plan cellulaire (4), chacune des deux positions représentent des informations binaires. Le dispositif (1) comprend des moyens (5, 8a, 8b, 3) permettant d'écrire des informations binaires stockées dans les cellules, comprenant des moyens pour appliquer de manière sélective, à proximité de chaque cellule (4), un premier champ magnétique statique de polarisation grossièrement perpendiculaire audit plan cellulaire (4) et un champ magnétique à fréquence radio polarisé de manière linéaire grossièrement parallèle audit dispositif (4). Le dispositif décrit comprend également des moyens pour lire, de préférence par résonance, la polarité en utilisant une mesure de transport sélective entre les électrodes se coupant (6) et (9) en guidant les lignes de courant à travers la région autour du noyau du tourbillon au moyen contact de point (7).


Magnetic vortex storage device (WIPO link)

This invention relates to a magnetic storage device (1) comprising a network of planar magnetic cells (4) in a vortex state, each cell's vortex core having a magnetization with either a first and second equilibrium position in opposite direction and perpendicular to the cellular (4) plane, each of the two positions representing binary information. The device (1) comprises means (5, 8a, 8b, 3) for writing binary information stored in the cells, including means for selectively applying, in the vicinity of each cell (4), a first bias static magnetic field roughly perpendicular to the said cellular (4) plane and a linearly polarized radio frequency magnetic field roughly parallel to said device (4). The described device also comprises means for reading preferably resonantly the polarity using a selective transport measurement between two intersecting electrodes (6) and (9) by guiding the current lines through the region around the vortex core by means of a point contact (7).

Contact :  O. Klein.

23-09-2011
Z. Weisheng, C. Camrat, G. Agnus, V. Derycke et J.P. Bourgoin

Numéro d’identification : WO/2010/106116 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD
Année de dépôt : 17-03-2010
Date de publication : 23.09.2010

Circuit de réseau neuronal comprenant des nano synapses et des neurones CMOS

L'invention concerne un circuit de réseau neuronal comprenant des nano dispositifs (411-415, 421-425) jouant le rôle de synapses et des circuits CMOS (201, 202) jouant le rôle de neurones. Elle trouve une application toute particulière dans les circuits et systèmes de calcul faisant appel à des fonctions complexes ou traitant d'énormes quantités de données. Comparée à l'état de la technique, cette architecture promet une faible surface occupée, des vitesses élevées dues à un apprentissage hyperparallèle et une faible consommation. Les nano dispositifs (411-415, 421-425) comprennent deux bornes et sont reliés à des conducteurs en ligne (221, 222) et à des conducteurs en colonne (231-235) à la manière d'une matrice. Un circuit CMOS (201, 202) est relié à une extrémité de chaque conducteur en ligne (221, 222). Une caractéristique électrique entre les deux bornes de chaque nano dispositif (411-415, 421-425) est susceptible d'être modifiée par un signal appliqué à la deuxième borne. Le circuit de réseau neuronal comprend en outre, pour chaque conducteur en ligne (221, 222), des moyens (401, 402) conçus pour empêcher la modification des caractéristiques électriques des nano dispositifs (411-415, 421-425) reliés au conducteur en ligne (221, 222) correspondant par un signal appliqué à la deuxième borne de ces nano dispositifs.


Neural network circuit comprising nanoscale synapses and cmos neurons (WIPO link)

The invention relates to a neural network circuit comprising nanoscale devices (411-415, 421-425) acting as synapses and CMOS circuits (201, 202) acting as neurons. It finds a particular interest for computing circuits and systems involving complex functions or handling of huge amounts of data. Comparing with the existing proposals, this architecture promises small die area, high speed thanks to massively parallel learning and low power. The nanoscale devices (411-415, 421-425) comprise two terminals and are connected to row conductors (221, 222) and to column conductors (231-235) in a matrix-like fashion. A CMOS circuit (201, 202) is connected at one end of each row conductor (221, 222). An electrical characteristic between the two terminals of each nanoscale device (411-415, 421-425) is able to be modified by a signal applied to the second terminal. The neural network further comprises, for each row conductor (221, 222), means (401, 402) for preventing the electrical characteristics of the nanoscale devices (411-415, 421-425) connected to the considered row conductor (221, 222) from being modified by a signal applied to the second terminal of said nanoscale devices.

Contact: V. Derycke

02-02-2011
S. Crunaire et T.H. Tran-thi

Numéro d'identification : WO 2010/004225 (Lien OMPI)

Numéro d'identification CEA : BD

Année de dépôt : 11.07.2008

Année de publication : 14.01.2010

Détecteurs nanoporeux de composés aromatiques monocycliques et autres polluants

Matériau sol-gel poreux essentiellement constitué d'unités d'un ou plusieurs premier(s) polyalcoxysilane(s) choisi(s) parmi les composés suivants : le (chlorométhyl)triéthoxysilane; le 1,3- diméthyltetraméthoxydisiloxane; l'éthyltriméthoxysilane; le triéthoxy(éthyl)silane; le triéthoxyméthylsilane; le triéthoxy(vinyl)silane; le triméthoxyméthylsilane; le triméthoxy(vinyl)silane; le tétraéthoxysilane ou le tétraméthoxysilane (TMOS) et d'unités d'un ou plusieurs second(s) polyalcoxysilane(s) choisi(s) parmi les composés suivants: le (N-(3-(triméthoxysilyl)propyl)éthylènediamine; le 3- aminopropyltriéthoxysilane (APTES) et le 3-aminopropyltriméthoxysilane, dans un rapport molaire premier(s) polyalcoxysilane(s)/ second(s) polyalcoxysilane(s) de 1 /0,01 à 1 /1, comprenant éventuellement une molécule sonde, procédé de préparation et applications dans le piégeage d'hydrocarbures aromatiques monocycliques ainsi que d'autres polluants ou dans leur détection


Nanoporous detectors of monocyclic aromatic compounds and other pollutants (WIPO link)

Porous sol-gel material essentially consisting of units of one or more first polyalkoxysilanes chosen from the following compounds: (chloro­methyl)triethoxysilane; 1,3-dimethyltetramethoxydisiloxane; ethyltri­methoxysilane; triethoxy(ethyl)silane; triethoxymethylsilane; triethoxy­(vinyl)silane; trimethoxymethylsilane; trimethoxy(vinyl)silane; tetra­ethoxysilane or tetramethoxysilane (TMOS) and of units of one or more second polyalkoxysilanes chosen from the following compounds: (N‑(3-(trimethoxysilyl) propyl)-ethylenediamine; 3‑aminopropyl-triethoxysilane (APTES) and 3-aminopropyl-trimethoxysilane, in a first polyalkoxy­silane/second polyalkoxysilane molar ratio of 1/0.01 to 1/1, optionally comprising a probe molecule, method of preparation and applications in the trapping of monocyclic aromatic hydrocarbons and other pollutants or in their detection.

Contact: T.H. Tran-thi.

 

Retour en haut