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Patents 2007

27-12-2007
C. Fermon, J.F. Jaquinot, M Pannetier-Lecoeur et J. Scola

Numéro d'identification international: WO/2007/148029 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1714
Date de dépôt : 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Système de mesure d'un signal de résonance magnétique à base d'un capteur hybride supraconducteur magnétorésistif

Le système de mesure d'un signal de résonance magnétique au sein d'un échantillon  placé dans un champ magnétique extérieur statique (H), comprend un dispositif d'excitation (1 à 3, 6 à 10) pour appliquer des impulsions radiofréquence de forte intensité à une fréquence d'émission prédéterminée fe dans une zone de mesure contenant l'échantillon. Le dispositif d'excitation comprend une bobine d'excitation (3) raccordée à la fréquence d'émission prédéterminée fe et disposée au voisinage de l'échantillon de manière à émettre un champ électromagnétique essentiellement perpendiculaire au champ magnétique extérieur statique (H). Le système comprend en outre au moins un capteur hybride supraconducteur-magnétorésistif comprenant une boucle supraconductrice munie d'une constriction apte à augmenter significativement la densité du courant et au moins un capteur magnétorésistif placé à proximité immédiate de la constriction, en étant séparé de celle-ci par un dépôt isolant.


 

System and method for measuring a magnetic resonance signal (lien WIPO)

The system for measuring a magnetic resonance signal within a sample placed in a static exterior magnetic field (H), comprises an excitation device (1 to 3, 6 to 10) for applying radio frequency pulses of strong intensity at a predetermined emission frequency fe in a measurement zone containing the sample. The excitation device comprises an excitation coil aligned with the predetermined emission frequency fe and disposed in the vicinity of the sample in such a way as to emit an electromagnetic field essentially perpendicular to the static exterior magnetic field (H). The system furthermore comprises at least one supraconducting-magnetoresistive hybrid sensor comprising a supraconducting loop furnished with a constriction able to significantly increase the density of the current and at least one magnetoresistive sensor placed in immediate proximity to the constriction, while being separated from the latter by an insulating deposition.

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

27-12-2007

Numéro d'enregistrement international : WO/2007/148028 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD 1713
Date de dépôt: 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Procédé et système pour ajuster la sensibilité d'un capteur magnétorésistif

Le système pour mesurer des champs magnétiques ou des courants élevés à l'aide d'au moins un capteur magnétorésistif (80) comprend un dispositif d'application d'un champ magnétique de polarisation prédéterminé connu Hbias selon une direction telle qu'il présente une composante du champ non nulle perpendiculaire à une direction de détection du capteur magnétorésistif (80) qui correspond également à une direction d'anisotropie d'une couche du capteur magnétorésistif, un dispositif de mesure de la variation de résistance du capteur magnétorésistif (80) et une unité de détermination du champ magnétique extérieur à mesurer H à partir de la variation de résistance mesurée, la résistance du capteur étant soumise à une fonction monotone de variation.

 


Method and system for adjusting the sensitivity of a magnetoresistive sensor (lien WIPO)

 

The system for measuring high currents or magnetic fields using at least one magnetoresistive sensor (80) comprises a device for applying a known predetermined magnetic bias field Hbias along a direction such that it has a non-zero component of the field perpendicular to a detection direction of the magnetoresistive sensor (80) that also corresponds to a direction of anisotropy of a layer of the magnetoresistive sensor, a device for measuring the variation in resistance of the magnetoresistive sensor (80) and a unit for determining the external magnetic field H to be measured as a result of the measured resistance variation, the resistance of the sensor being subjected to a monotonic variation function

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

22-11-2007

Numéro d'identification : WO/2007/132089 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA:  BD1717
Année de dépôt: 15-05-2006

Année de publication: 22-11-2007

Procédé de dépôt d'un film mince nanométrique sur un substrat

L'invention correspond à un procédé de dépôt de film mince nanométrique multicouche sur un substrat à partir d'une soltution liquide contenant au moins un tensio-actif caractérisé an ce qu'il comporte les étapes suivantes: formation d'un film à partir de la solution, mise en contact avec le substrat, dépôt du film sur le substrat. L'invention est particulièrement adaptée pour déposer les films noirss sur différents types de surface. Elle permet notamment  d'obtenir des films possédant une grande organisation. Les films obtenus selon ce procédé sont  utilisables dans les domaines de l'électronique et de l'optique.

 


Method for depositing a nanometric thin film on a substrate (Lien  WIPO)

 

The invention concerns in particular a method for depositing a nanometric multilayer thin film on a substrate from a liquid solution containing at least one surfactant, characterized in that it includes the following steps: forming a film from the solution; contacting the substrate; depositing the film on the substrate. The invention is particularly designed to depositing black films on different types of surfaces, in particular for obtaining highly organized films. The films obtained by said method are particularly useful in electronics and optics.

Contact : Jean Jacques Benattar

01-11-2007
P. Meininger, C. Gasquet et F. Daviaud

Numéro d'identification: WO/2007/122312 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD1687
Année de dépôt: 19-04-2006

Année de publication : 01-11-2007

Ensemble de distribution d'un matériau granulaire par gravité

Cet ensemble de distribution d'un matériau granulaire comprend un déversoir destiné à recevoir le matériau granulaire et dont un tronçon inférieur est muni d'un orifice inférieur d'évacuation au travers duquel le matériau est destiné à s'écouler par gravité. L'ensemble comprend en outre une tête d'obturation partielle qui est engagée dans le tronçon inférieur et délimite avec celui-ci un espace dans lequel le matériau granulaire est destiné à s'écouler en formant une nappe autour de la tête. Application, par exemple, aux domaines de l'agro-alimentaire, du génie civil, de la mécanique, de la plasturgie, de la pharmacie...

 


Assembly for dispensing a granular material by gravity (lien WIPO)

 

This assembly for dispensing a granular material includes a spillway intended to receive the granular material with a lower section thereof being fitted with a lower outlet through which the material is intended to flow by gravity. The assembly further includes a partial sealing head which is engaged in the lower section and defines therewith a space wherein the granular material is intended to flow by forming a lap around the head. Application, for example, in the fields of food-processing, civil engineering, mechanics, plastics, pharmacy etc.

Contact : F.Daviaud

Référence associée au brevet :
Les matériaux granulaires ne bloquent plus l'entonnoir
CEA Techno(s) n° 84, février 2007

25-10-2007
A-J. Attias, F. Charra, L. Douillard, C. Fiorini, D. Kreher, F. Mathevet et G. Schull

Numéro d’identification : WO/2007/118976 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 1669                       
Année de dépôt : 30-03-2006
Date de publication : 25-10-2007

Procédé de traitement d'un fluide a l'aide d'un réseau auto organisé adsorbé sur une surface

L'invention concerne un procédé de traitement d'un fluide. Selon l'invention, le fluide est mis au contact d'un substrat à la surface duquel existe un réseau de molécules organiques, dites "molécules réseau", possédant un noyau central ainsi qu'au moins un bras latéral, lesdites molécules étant adsorbées à la surface du substrat. L’invention concerne également un tamis moléculaire à deux dimensions constitué d'un substrat à la surface duquel est adsorbé un réseau de molécules réseau. L’invention concerne en outre un module de traitement d'un fluide comportant des moyens de circulation du fluide à traiter et renfermant un ou plusieurs tamis moléculaire à deux dimensions.


Method for treating a fluid using a self-organized network adsorbed on a surface
(WIPO link)

The invention concerns a method for treating a fluid. According to the invention, the fluid is contacted with a substrate at the surface of which there is a network of organic molecules, hereafter referred to as "network molecules", having a central core and at least one lateral arm, said molecules being adsorbed at the surface of the substrate. The invention also concerns a two-dimensional molecular sieve consisting of a substrate at the surface of which a network of network molecules is adsorbed. The invention further concerns a module for treating a fluid comprising means for circulating the fluid to be treated and containing one or more two-dimensional molecular sieves.

Contact: F. Charra.

20-09-2007
J.P. Bourgoin , V. Derycke et J. Borghetti

Numéro d'identification : WO/2007/104858 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1666
Année de dépôt : 14-03-2006
Date de publication : 20-09-2007

Dispositif de détection/mémorisation de rayonnements électromagnétiques, procédé de fabrication, utilisation de ce dispositif et imageur l'incorporant

La présente invention concerne un dispositif de détection et de mémorisation de rayonnements électromagnétiques, un imageur l'incorporant, un procédé pour la fabrication dudit disupositif et une utilisation de ce dernier. Un dispositif (1) selon l'invention, comprenant un phototransistor à effet de champ qui comporte: - deux électrodes de contact de source (S) et de drain (D), - une unité de conduction électrique qui est connectée aux électrodes de contact et qui est recouverte d'une couche polymérique photosensible (3) apte à absorber les: rayonnements, à détecter, a générer en réponse des charges détectées par ladite unité et I à stocker ces charges, et - une électrode de grille (G) qui est adaptée pour contrôler le courant électrique dans l'unité ainsi que la répartition supatiale des charges dans ladite couche et qui est séparée de ladite unité par un diélectrique de grille (4), est tel que l'unité de conduction comporte au moins un nanotube ou nanofil (2) semi-; conducteur apte à fournir un signal électrique représentatif d'une modification de; conductivité du phototransistor ayant été exposé à un rayonnement, et que le diélectrique! de grille présente une épaisseur et une permittivité ε,, qui satisfont à t,le >0,2 nm*1, de sorte que la conductivité après exposition puisse être réinitialisée électriquement en un, temps minimisé et que ledit dispositif forme au moins un pixel d'imagerie.


Device for detecting/storing electromagnetic beams, method for making same, and use thereof and imager incorporating same
(WIPO link)

  The invention concerns a device for detecting and storing electromagnetic beams, an imager incorporating same, a method for making said device and use thereof. The inventive device (1) comprises a field-effect phototransistor including: two source (S) and drain (D) contact electrodes, an electrical conduction unit which is connected to the two contact electrodes and which is coated with a photosensitive polymeric coating (3) capable of absorbing the beams, of detecting, of generating in resuponse the loads detected by said unit and of storing said loads, and a gate electrode (G) which is capable of controlling the electric current in the unit as well as supatially distributing the loads in said coating and which is separated from said unit by a gate dielectric (4). Said device is configured such that the conduction unit comprises at least one semiconductive nanotube or nanowire (2) capable of supplying an electric signal representing a modification of the conductivity of the phototransistor having been exposed to a beam, and that the gate dielectric has a thickness and a permittivity ε, which satisfy εr>0.2 nm*1, so that the conductivity after exposition may be electrically reset in a reduced time and that the device forms at least one imaging pixel.

Contact: J.P. Bourgoin

23-08-2007
C. Fermon, M. Pannetier-Lecoeur , F. Vacher, T. Sollier et N. Biziere

Numéro d'identification : WO/2007/095971 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1674
Année de dépôt: 24-02-2006

Année de publication: 23-08-2007

Procédé et dispositif d'évaluation non destructrice de défauts dans un objet métallique

L'invention concerne un dispositif d'évaluation non destructrice de défauts dans un objet métallique (2) par courants de Foucault, comprenant un émetteur de champ (3) destiné à émettre un champ électromagnétique alternatif à une première fréquence fi au voisinage de l'objet métallique (2), et un capteur magnétorésistif (1) permettant de détecter un signal de réponse constitué par un champ électromagnétique de retour qui est de nouveau émis par les courants de Foucault induits par le champ électromagnétique alternatif dans l'objet métallique (2). Le dispositif comprend en outre : un circuit d'entraînement (230) permettant d'entraîner le capteur magnétorésistif (1) par un courant à une seconde fréquence fc qui est différente de la première fréquence fi, de sorte que le capteur magnétorésistif (1) fait office de modulateur in situ ; un détecteur permettant de détecter un signal de réponse entre les bornes du capteur magnétorésistif (1); un filtre permettant de filtrer le signal de réponse détecté par le capteur magnétorésistif (1) pour conserver soit la somme de fréquences (fi+fc) des première et seconde fréquences ou la différence de fréquences (fi-fc) des première et seconde fréquences, et un processeur permettant de traiter le signal de réponse filtré et d'extraire les informations de courants de Foucault concernant les défauts de l'objet métallique (2).

 


Method and device for non destructive evaluation of defects in a metallic object (Lien WIPO)

 

A device for non destructive evaluation of defects in a metallic object by eddy currents, comprises a field emitter for emitting an alternating electromagnetic field at a first frequency fi in the neighbourhood of the metallic object, and a magnetoresistive sensor for detecting a response signal constituted by a return electromagnetic field which is re-emitted by eddy currents induced by the alternating electromagnetic field in the metallic object. The device further comprises: a driving circuit (230) for driving the magnetoresistive sensor by a current at a second frequency fc which is different from the first frequency fi, so that the magnetoresistive sensor acts as an in situ modulator; a detector for detecting a response signal between the terminals of the magnetoresistive sensor; a filter for filtering the response signal detected by the magnetoresistive sensor to keep either the frequency sum (fi+fc) of the first and second frequencies or the frequency difference (fi-fc) of the first and second frequencies, and a processor for processing the filtered response signal and extract eddy current information on defects in the metallic object.

Contact: C. Fermon et M. Pannetier-Lecoeur

05-07-2007

Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-12-2005
Date de publication : 05-07-2007 

Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée

La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect. Avantageusement, le substrat semi-conducteur à gap indirect est le carbure de silicium. La présente invention concerne également des disupositifs pour la mise en œuvre du procédé d'imagerie selon l'invention.

 


Improved photon-emission scanning tunnel microscopy
(WIPO link)

 

The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a supecimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention.  .

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

03-05-2007
L. Ponson, E. Bouchaud et D. Bonamy

N° de publication internationale : WO 2007/048934 A1   (lien OMPI)

N° D'identification CEA: BD 1645

Année de dépôt 28-10-2005

Année de publication: 03-05-2007

Procédé et système de détermination du parcours de propagation d'au moins une fissure à partir d'une ou de surface(s) de rupture crées par cette ou ces fissure(s)

La présente invention concerne un procédé et un système de détermination, dans une structure solide ayant été cassée suivant au moins une surface de rupture, du parcours de propagation d'au moins une fissure à l'origine de ladite ou chaque surface de rupture. Le procédé selon l'invention comprend une étape d'acquisition de données topographiques de ladite ou chaque surface, soit dans un cas par extraction de profils de hauteurs selon une pluralité de direction, soit dans un cas par acquisition d'une carte des hauteurs, et avec une résolution pour laquelle ladite structure est hétérogène et rugueuse, caractérisée en ce qu'il comprend, à partir de cette étape , une analyse des propriétés statistiques de rugosité de la ou de chaque surface qui témoigne d'une anisotropie de  ces propriétés selon ladite pluralité de directions, pour déduire de cette anisotropie au moins une direction de propagation X de la ou chaque fissure qui définit tout ou partie dudit parcours.


Method and system for determining the spreading path of at least one crack from a break surface or from a number of break surfaces created by this/these crack(s) (Lien WIPO)

The invention relates to a method and system for determining, in a solid structure having been broken along at least one break surface, the spreading path of at least one crack at the beginning thereof or each break surface. The inventive method comprises: a) a step for acquiring topographical data of the or each surface, either in one case by extracting height profiles along a number of directions, or in another case by acquiring a map of heights, and with a resolution for which said structure is heterogeneous and rough, characterized in that it comprises, starting with step a): an analysis of statistical properties of roughness of the or each surface that gives evidence of an anisotropy of these properties along a number of directions for deducing from this anisotropy at least one direction of spreading X of the or each crack that defines all or a portion of said path. 

Fichier PDF associé

Contact Daniel Bonamy

03-05-2007
P. Baroni, H. Mendil, L. Noirez

N° de publication internationale : WO 2007/048890 A1   (lien OMPI)

N° d'identification CEA: BD 1623

Année de dépôt: 27-10-2005

Année de publication: 03-05-2007

Procédé et dispositif pour la détermination d'au moins une propriété dynamique d'un matériau fluide ou solide déformable

Méthode de détermination d'au moins une caractéristique dynamique d'un échantillon fluide ou solide déformable comprenant :
•-  le contact de l'échantillon avec au moins une surface d'interaction,
•-  l'application d'un mouvement relatif entre l'échantillon et la surface d'interaction,
•-  la mesure d'au moins une caractéristique cinématique ou dynamique de l'échantillon,
•-  la surface d'interaction est caractérisée par une mouillabilité intrinsèque par rapport au matériau de l'échantillon, supérieure à celle des métaux.
•-  Dispositif de mise en œuvre de cette méthode.

Selon certaines réalisations, la surface d'interaction est faite de haute densité frittée de céramique ou d'un seul cristal de silicium ou de germanium, de préférence ayant une porosité ouverte nulle et une moyenne arithmétique des paramètres de rugosité inférieure à 12,5µm, et de préférence entre 0,4 et 1,6 µm.


Method and device for determining at least one dynamic property of a deformable solid or fluid material (Lien WIPO)

Method of determining at least one dynamic characteristic of a sample of a deformable solid or fluid material, comprising: the contacting of said sample  with at least one interaction surface; the application of a relative movement between said sample and said interaction surface ; and the measurement of at least one dynamic or kinematic quantity in respect of the sample and/or said interaction surface, wherein said interaction surface has an intrinsic wettability with respect to the material that is higher than that of metals. Device for implementing this method. According to particular embodiments, said interaction surface is made of high-density sintered ceramic or made of single crystal silicon or germanium, preferably having a zero open porosity and an arithmetic mean roughness parameter of less than 12.5 µm and preferably between 0.4 and 1.6 µm.

Fichier PDF associé

22-03-2007
H. Paolacci et T.H. Tran-thi

Numéro d'Identification : WO/2007/031657 (Lien OMPI, fichier PDF asscocié)
Numéro d'identification CEA : BD 1638
Année de dépôt : 15-09-2005
Année de publication : 22-03-2007

Matériau nanoporeux d'aldéhydes à transduction optique directe

Procédé de détection, dosage ou piégeage d'aldéhyde (préférentiellement le formaldéhyde), par mise en contact d'un flux gazeux avec un matériau comprenant une matrice nanoporeuse sol-gel d'oxydes métalliques. Cette matrice contient une molécule sonde portant une fonction réactive avec la fonction aldéhyde. le brevet porte sur le matériau, sa mise en œuvre, son procédé de préparation, et les capteurs intégrant ces matériaux.

 


Nanoporous direct optical transducing material for detecting aldehydes
(lien WIPO)

 

The invention concerns a method for detecting and/or testing and/or capturing at least one type of aldehyde, preferably formaldehyde, consisting in bringing a gas stream into contact with a material comprising a nanoporous metal oxide sol-gel matrix, which contains at least one probe molecule exhibiting at least one reactive function reacting with at least one aldehyde function. A material for carrying out said method, a method for producing the inventive material and sensors integrating said materials are also disclosed.

Contact:  T.H. Tran-Thi

22-02-2007
J.F. Jacquinot et D. Sakellariou

Numéro d'identification : WO/2007/020537 (Lien OMPI, fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD1664
Année de dépôt : 05-07-2005
Année de publication : 22-02-2007

Appareil et procédé de spectroscopie et/ou imagerie RMN à facteur de remplissage et amplitude du champ RF améliorés.

L'invention porte sur un appareil (1') et un procédé de spectroscopie et/ou d'imagerie RMN de un ou plusieurs  échantillons. Cet appareil comprend un réceptacle d'échantillons (3). L'échantillon est soumis à un champ électromagnétique RF et une sonde statique, composée d'un circuit d'excitation qui produit un champ RF incident à la fréquence de Larmor des moments de spin des noyaux atomiques, et qui reçoit en retour le champ RF réémis par ces noyaux. L'appareil comporte en outre une bobine sensible (6a'), placée autour ou au contact du réceptacle, et couplée à la sonde statique par un champ électromagnétique RF. Cette bobine est enchâssée dans un rotor intérieur monté tournant dans la sonde statique. Ce rotor est monté d'une seule pièce avec le réceptacle ce qui maximise à la fois le facteur de remplissage et l'amplitude du champ RF à l'intérieur de la bobine


Apparatus for high resolution NMR spectroscopy and/or imaging with an improved filling factor and RF field amplitude
(WIPO link

The present invention concerns an apparatus (1' ) for NMR spectroscopy and/or NMR imaging of a sample. The apparatus comprises a static probe comprising an outer coil for excitation of nuclei of said sample by generating an incident radio frequency field at the Larmor frequency of said nuclei, and for reception of a return radio frequency field emitted by said sample, and a sensitive inner coil (6a' ) which is mounted closely around or in contact with the sample container and which is wirelessly coupled to said outer coil by an electromagnetic radio frequency field. The sensitive inner coil is embedded in an inner spinning rotor (2) which is rotatively mounted inside said static probe and which is integral with said sample container, so that the filling factor and the radio frequency field amplitude in said sensitive coil are maximized.

Contact:D. Sakallariou

15-02-2007
V. Aroutiounian, K. Martirosyan et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2007/017504 (Lien OMPI et Fichier Pdf associé)
Numéro d'identification CEA BD 1613
Année de dépôt : 10-08-2005
Date de publication : 15-02-2007 

Revêtement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procédé de fabrication de ce revêtement

Revêtement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procédé de fabrication de ce revêtement. Un revêtement anti-reflet (4) conforme à l'invention comprend une couche interne antireflet (6) de silicium poreux et une couche externe (8) d'oxynitrure de silicium non poreuse et exempte d'espèces étrangères, formée sur la couche interne.


Antireflection coating, particularly for solar cells, and method for producing this coating (Lien WIPO)

The invention relates to an antireflection coating, particularly for solar cells, and to a method for producing this coating. An inventive antireflection coating (4) comprises at least one antireflection inner layer (6) made of porous silicon and comprises an outer layer (8) made of silicon oxynitride, which is essentially non-porous, essentially free from foreign supecies and which is formed on the inner layer.

Contact: P. Soukiassian

01-02-2007
J. Lessant, V. Simic, S. Fantini, P. Raimond et P. Viel

Numéro d'identification international: WO 2007/012630 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD
Date de dépôt :26-07-2005
Date de publication/ 01-02-2007

Matériau conducteur ou semi-conducteur modifié par greffage électrochimique de films polymères

La présente invention concerne un matériau conducteur ou semi-conducteur dont la surface est modifiée par une monocouche d'un groupe phényle substitué par un amorceur de polymérisation radicalaire contrôlée quasi-vivante ou par un agent resuponsable du contrôle d'une polymérisation radicalaire, ledit groupe phényle étant lié par une liaison covalente phényle-métal à ladite surface du matériau conducteur ou semi-conducteur et un procédé de fabrication de ce matériau. Elle concerne en outre un matériau conducteur ou semi-conducteur dont la surface est modifiée par la présence d'au moins une couche de polymère fonctionalisé, un procédé de préparation de ce matériau et les utilisations de ce matériau avantageusement dans des microbalances à cristal de quartz.

 


Conductive or semi-conductive material modified by electrochemical grafting of polymer films
(Lien WIPO)

 

The invention concerns a conductive or semi-conductive material whereof the surface is modified by a single layer of a phenyl group substituted by a controlled quasiliving free radical polymerization initiator or by an agent for controlling a free radical polymerization, said phenyl group being bound by a covalent phenyl-metal bond at said surface of the conductive or semi-conductive material and a method for making said material. The invention also concerns a conductive or semi-conductive material whereof the surface is modified by the presence of at least one functionalized polymer layer, and a method for preparing said material and the uses of said material advantageously in quartz crystal microbalances.

Contact: P. Viel

11-01-2007
P. Soukiassian et F. Semond

Numéro d'identification : WO 2007/003638 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1611
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007

Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche. Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3x2. Pour l'obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Highly oxygen-sensitive silicon layer and method for obtaining same
(WIPO link)

 

The invention concerns a highly oxygen-sensitive silicon layer and a method for obtaining same. Said layer (2), formed on a substrate (4) for example made of SiC, has a 3x2 structure. The method for obtaining same consists in depositing silicon substantially uniformly on one surface of the substrate. The invention is applicable for example in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

11-01-2007

Numéro d'identification : WO 2007/003639 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1602
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Substrat en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d'obtention associé

Pour obtenir la couche sur le substrat (1) en présence d'un gaz azoté, le substrat est recouvert d'une couche (2) d'un matériau perméable à ce gaz et la couche de nitrure de silicium est formée à l'interface entre le substrat et la couche du matériau. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Silicon carbide substrate coated with a thin stoichiometric film of silicon nitride, for making electronic components, and associated process
(WIPO link)

 

The method for obtaining the film on the substrate (1) in the presence of a nitrogen-containing gas, consists in coating a layer (2) of a material permeable to that gas and causing the silicon nitride film to be formed at the interface between the substrate and the material layer. The invention is applicable in particular in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

11-01-2007
P. Soukiassian , M. Silly et F. Charra

Numéro d'identification : WO 2007/003576 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 30-06-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Nanostructures a résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication

Nanostructures à 0, 1, 2 et 3 dimensions, à résistance différentielle négative et procédé de fabrication de ces nanostructures. Une nanostructure conforme à l'invention est notamment utilisable en nano-électronique. Elle comprend une structure (32) à la surface d'un substrat de carbure de silicium (30), la structure étant choisie parmi les plots quantiques, les segments atomiques, les lignes atomiques et les agrégats, et au moins un dépôt de métal (34). Ce dépôt de métal recouvre la structure, ou la combinaison de 2 ou plus des nanostructures à 0, 1, 2 ou 3 dimensions.

 


Nanostructures with negative differential resistance and method for making same
(WIPO link)

 

The invention concerns nanostructures of 0, 1, 2 and 3 dimensions, with negative differential resistance and a method for making said nanostructures. The inventive nanostructure is in particular useful in nano electronics. It comprises at least one structure (32) or at least a plurality of said at least one structure, on the surface of a silicon carbide substrate (30), the structure being selected among quantum connection pads, atomic segments, atomic lines and aggregates, and at least one metal deposit (34), said metal deposit covering at least the structure or at least the plurality of said at least one structure, or the combination o at least two of said structures with 0, 1, 2 or 3 dimensions.

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

25-10-2007
A-J. Attias, F. Charra, L. Douillard, C. Fiorini, D. Kreher, F. Mathevet et G. Schull

Numéro d’identification : WO/2007/118976 (lien WIPO)
Numéro d’identification CEA BD 1669                       
Année de dépôt : 30-03-2006
Date de publication : 25-10-2007

Procédé de traitement d'un fluide a l'aide d'un réseau auto organisé adsorbé sur une surface

L'invention concerne un procédé de traitement d'un fluide. Selon l'invention, le fluide est mis au contact d'un substrat à la surface duquel existe un réseau de molécules organiques, dites "molécules réseau", possédant un noyau central ainsi qu'au moins un bras latéral, lesdites molécules étant adsorbées à la surface du substrat. L’invention concerne également un tamis moléculaire à deux dimensions constitué d'un substrat à la surface duquel est adsorbé un réseau de molécules réseau. L’invention concerne en outre un module de traitement d'un fluide comportant des moyens de circulation du fluide à traiter et renfermant un ou plusieurs tamis moléculaire à deux dimensions.


Method for treating a fluid using a self-organized network adsorbed on a surface
(WIPO link)

The invention concerns a method for treating a fluid. According to the invention, the fluid is contacted with a substrate at the surface of which there is a network of organic molecules, hereafter referred to as "network molecules", having a central core and at least one lateral arm, said molecules being adsorbed at the surface of the substrate. The invention also concerns a two-dimensional molecular sieve consisting of a substrate at the surface of which a network of network molecules is adsorbed. The invention further concerns a module for treating a fluid comprising means for circulating the fluid to be treated and containing one or more two-dimensional molecular sieves.

Contact: F. Charra.

05-07-2007

Numéro d'identification : WO/2007/074228 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-12-2005
Date de publication : 05-07-2007 

Microscopie à effet tunnel par émission de photons perfectionnée

La présente invention concerne un substrat semi-conducteur à gap indirect, supérieur au gap du silicium, préférentiellement supérieur à 1,5 eV, son utilisation pour imager un échantillon par microscopie à effet tunnel en émission de photons, ainsi qu'un procédé d'imagerie à effet tunnel en émission de photons utilisant un tel substrat semi-conducteur à gap indirect. Avantageusement, le substrat semi-conducteur à gap indirect est le carbure de silicium. La présente invention concerne également des disupositifs pour la mise en œuvre du procédé d'imagerie selon l'invention.

 


Improved photon-emission scanning tunnel microscopy
(WIPO link)

 

The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a supecimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention.  .

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

03-05-2007
L. Ponson, E. Bouchaud et D. Bonamy

N° de publication internationale : WO 2007/048934 A1   (lien OMPI)

N° D'identification CEA: BD 1645

Année de dépôt 28-10-2005

Année de publication: 03-05-2007

Procédé et système de détermination du parcours de propagation d'au moins une fissure à partir d'une ou de surface(s) de rupture crées par cette ou ces fissure(s)

La présente invention concerne un procédé et un système de détermination, dans une structure solide ayant été cassée suivant au moins une surface de rupture, du parcours de propagation d'au moins une fissure à l'origine de ladite ou chaque surface de rupture. Le procédé selon l'invention comprend une étape d'acquisition de données topographiques de ladite ou chaque surface, soit dans un cas par extraction de profils de hauteurs selon une pluralité de direction, soit dans un cas par acquisition d'une carte des hauteurs, et avec une résolution pour laquelle ladite structure est hétérogène et rugueuse, caractérisée en ce qu'il comprend, à partir de cette étape , une analyse des propriétés statistiques de rugosité de la ou de chaque surface qui témoigne d'une anisotropie de  ces propriétés selon ladite pluralité de directions, pour déduire de cette anisotropie au moins une direction de propagation X de la ou chaque fissure qui définit tout ou partie dudit parcours.


Method and system for determining the spreading path of at least one crack from a break surface or from a number of break surfaces created by this/these crack(s) (Lien WIPO)

The invention relates to a method and system for determining, in a solid structure having been broken along at least one break surface, the spreading path of at least one crack at the beginning thereof or each break surface. The inventive method comprises: a) a step for acquiring topographical data of the or each surface, either in one case by extracting height profiles along a number of directions, or in another case by acquiring a map of heights, and with a resolution for which said structure is heterogeneous and rough, characterized in that it comprises, starting with step a): an analysis of statistical properties of roughness of the or each surface that gives evidence of an anisotropy of these properties along a number of directions for deducing from this anisotropy at least one direction of spreading X of the or each crack that defines all or a portion of said path. 

Fichier PDF associé

Contact Daniel Bonamy

15-02-2007
V. Aroutiounian, K. Martirosyan et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2007/017504 (Lien OMPI et Fichier Pdf associé)
Numéro d'identification CEA BD 1613
Année de dépôt : 10-08-2005
Date de publication : 15-02-2007 

Revêtement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procédé de fabrication de ce revêtement

Revêtement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procédé de fabrication de ce revêtement. Un revêtement anti-reflet (4) conforme à l'invention comprend une couche interne antireflet (6) de silicium poreux et une couche externe (8) d'oxynitrure de silicium non poreuse et exempte d'espèces étrangères, formée sur la couche interne.


Antireflection coating, particularly for solar cells, and method for producing this coating (Lien WIPO)

The invention relates to an antireflection coating, particularly for solar cells, and to a method for producing this coating. An inventive antireflection coating (4) comprises at least one antireflection inner layer (6) made of porous silicon and comprises an outer layer (8) made of silicon oxynitride, which is essentially non-porous, essentially free from foreign supecies and which is formed on the inner layer.

Contact: P. Soukiassian

01-02-2007
J. Lessant, V. Simic, S. Fantini, P. Raimond et P. Viel

Numéro d'identification international: WO 2007/012630 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD
Date de dépôt :26-07-2005
Date de publication/ 01-02-2007

Matériau conducteur ou semi-conducteur modifié par greffage électrochimique de films polymères

La présente invention concerne un matériau conducteur ou semi-conducteur dont la surface est modifiée par une monocouche d'un groupe phényle substitué par un amorceur de polymérisation radicalaire contrôlée quasi-vivante ou par un agent resuponsable du contrôle d'une polymérisation radicalaire, ledit groupe phényle étant lié par une liaison covalente phényle-métal à ladite surface du matériau conducteur ou semi-conducteur et un procédé de fabrication de ce matériau. Elle concerne en outre un matériau conducteur ou semi-conducteur dont la surface est modifiée par la présence d'au moins une couche de polymère fonctionalisé, un procédé de préparation de ce matériau et les utilisations de ce matériau avantageusement dans des microbalances à cristal de quartz.

 


Conductive or semi-conductive material modified by electrochemical grafting of polymer films
(Lien WIPO)

 

The invention concerns a conductive or semi-conductive material whereof the surface is modified by a single layer of a phenyl group substituted by a controlled quasiliving free radical polymerization initiator or by an agent for controlling a free radical polymerization, said phenyl group being bound by a covalent phenyl-metal bond at said surface of the conductive or semi-conductive material and a method for making said material. The invention also concerns a conductive or semi-conductive material whereof the surface is modified by the presence of at least one functionalized polymer layer, and a method for preparing said material and the uses of said material advantageously in quartz crystal microbalances.

Contact: P. Viel

11-01-2007

Numéro d'identification : WO 2007/003639 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1602
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Substrat en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stœchiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d'obtention associé

Pour obtenir la couche sur le substrat (1) en présence d'un gaz azoté, le substrat est recouvert d'une couche (2) d'un matériau perméable à ce gaz et la couche de nitrure de silicium est formée à l'interface entre le substrat et la couche du matériau. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Silicon carbide substrate coated with a thin stoichiometric film of silicon nitride, for making electronic components, and associated process
(WIPO link)

 

The method for obtaining the film on the substrate (1) in the presence of a nitrogen-containing gas, consists in coating a layer (2) of a material permeable to that gas and causing the silicon nitride film to be formed at the interface between the substrate and the material layer. The invention is applicable in particular in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

11-01-2007
P. Soukiassian et F. Semond

Numéro d'identification : WO 2007/003638 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1611
Année de dépôt : 05-07-2005
Date de publication : 11-01-2007

Couche de silicium très sensible a l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche. Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3x2. Pour l'obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.

 


Highly oxygen-sensitive silicon layer and method for obtaining same
(WIPO link)

 

The invention concerns a highly oxygen-sensitive silicon layer and a method for obtaining same. Said layer (2), formed on a substrate (4) for example made of SiC, has a 3x2 structure. The method for obtaining same consists in depositing silicon substantially uniformly on one surface of the substrate. The invention is applicable for example in microelectronics.

Contact: P. Soukiassian

11-01-2007
P. Soukiassian , M. Silly et F. Charra

Numéro d'identification : WO 2007/003576 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 30-06-2005
Date de publication : 11-01-2007 

Nanostructures a résistance différentielle négative et leur procédé de fabrication

Nanostructures à 0, 1, 2 et 3 dimensions, à résistance différentielle négative et procédé de fabrication de ces nanostructures. Une nanostructure conforme à l'invention est notamment utilisable en nano-électronique. Elle comprend une structure (32) à la surface d'un substrat de carbure de silicium (30), la structure étant choisie parmi les plots quantiques, les segments atomiques, les lignes atomiques et les agrégats, et au moins un dépôt de métal (34). Ce dépôt de métal recouvre la structure, ou la combinaison de 2 ou plus des nanostructures à 0, 1, 2 ou 3 dimensions.

 


Nanostructures with negative differential resistance and method for making same
(WIPO link)

 

The invention concerns nanostructures of 0, 1, 2 and 3 dimensions, with negative differential resistance and a method for making said nanostructures. The inventive nanostructure is in particular useful in nano electronics. It comprises at least one structure (32) or at least a plurality of said at least one structure, on the surface of a silicon carbide substrate (30), the structure being selected among quantum connection pads, atomic segments, atomic lines and aggregates, and at least one metal deposit (34), said metal deposit covering at least the structure or at least the plurality of said at least one structure, or the combination o at least two of said structures with 0, 1, 2 or 3 dimensions.

Contact: P. Soukiassian, F. Charra

03-05-2007
P. Baroni, H. Mendil, L. Noirez

N° de publication internationale : WO 2007/048890 A1   (lien OMPI)

N° d'identification CEA: BD 1623

Année de dépôt: 27-10-2005

Année de publication: 03-05-2007

Procédé et dispositif pour la détermination d'au moins une propriété dynamique d'un matériau fluide ou solide déformable

Méthode de détermination d'au moins une caractéristique dynamique d'un échantillon fluide ou solide déformable comprenant :
•-  le contact de l'échantillon avec au moins une surface d'interaction,
•-  l'application d'un mouvement relatif entre l'échantillon et la surface d'interaction,
•-  la mesure d'au moins une caractéristique cinématique ou dynamique de l'échantillon,
•-  la surface d'interaction est caractérisée par une mouillabilité intrinsèque par rapport au matériau de l'échantillon, supérieure à celle des métaux.
•-  Dispositif de mise en œuvre de cette méthode.

Selon certaines réalisations, la surface d'interaction est faite de haute densité frittée de céramique ou d'un seul cristal de silicium ou de germanium, de préférence ayant une porosité ouverte nulle et une moyenne arithmétique des paramètres de rugosité inférieure à 12,5µm, et de préférence entre 0,4 et 1,6 µm.


Method and device for determining at least one dynamic property of a deformable solid or fluid material (Lien WIPO)

Method of determining at least one dynamic characteristic of a sample of a deformable solid or fluid material, comprising: the contacting of said sample  with at least one interaction surface; the application of a relative movement between said sample and said interaction surface ; and the measurement of at least one dynamic or kinematic quantity in respect of the sample and/or said interaction surface, wherein said interaction surface has an intrinsic wettability with respect to the material that is higher than that of metals. Device for implementing this method. According to particular embodiments, said interaction surface is made of high-density sintered ceramic or made of single crystal silicon or germanium, preferably having a zero open porosity and an arithmetic mean roughness parameter of less than 12.5 µm and preferably between 0.4 and 1.6 µm.

Fichier PDF associé

22-03-2007
H. Paolacci et T.H. Tran-thi

Numéro d'Identification : WO/2007/031657 (Lien OMPI, fichier PDF asscocié)
Numéro d'identification CEA : BD 1638
Année de dépôt : 15-09-2005
Année de publication : 22-03-2007

Matériau nanoporeux d'aldéhydes à transduction optique directe

Procédé de détection, dosage ou piégeage d'aldéhyde (préférentiellement le formaldéhyde), par mise en contact d'un flux gazeux avec un matériau comprenant une matrice nanoporeuse sol-gel d'oxydes métalliques. Cette matrice contient une molécule sonde portant une fonction réactive avec la fonction aldéhyde. le brevet porte sur le matériau, sa mise en œuvre, son procédé de préparation, et les capteurs intégrant ces matériaux.

 


Nanoporous direct optical transducing material for detecting aldehydes
(lien WIPO)

 

The invention concerns a method for detecting and/or testing and/or capturing at least one type of aldehyde, preferably formaldehyde, consisting in bringing a gas stream into contact with a material comprising a nanoporous metal oxide sol-gel matrix, which contains at least one probe molecule exhibiting at least one reactive function reacting with at least one aldehyde function. A material for carrying out said method, a method for producing the inventive material and sensors integrating said materials are also disclosed.

Contact:  T.H. Tran-Thi

22-02-2007
J.F. Jacquinot et D. Sakellariou

Numéro d'identification : WO/2007/020537 (Lien OMPI, fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA : BD1664
Année de dépôt : 05-07-2005
Année de publication : 22-02-2007

Appareil et procédé de spectroscopie et/ou imagerie RMN à facteur de remplissage et amplitude du champ RF améliorés.

L'invention porte sur un appareil (1') et un procédé de spectroscopie et/ou d'imagerie RMN de un ou plusieurs  échantillons. Cet appareil comprend un réceptacle d'échantillons (3). L'échantillon est soumis à un champ électromagnétique RF et une sonde statique, composée d'un circuit d'excitation qui produit un champ RF incident à la fréquence de Larmor des moments de spin des noyaux atomiques, et qui reçoit en retour le champ RF réémis par ces noyaux. L'appareil comporte en outre une bobine sensible (6a'), placée autour ou au contact du réceptacle, et couplée à la sonde statique par un champ électromagnétique RF. Cette bobine est enchâssée dans un rotor intérieur monté tournant dans la sonde statique. Ce rotor est monté d'une seule pièce avec le réceptacle ce qui maximise à la fois le facteur de remplissage et l'amplitude du champ RF à l'intérieur de la bobine


Apparatus for high resolution NMR spectroscopy and/or imaging with an improved filling factor and RF field amplitude
(WIPO link

The present invention concerns an apparatus (1' ) for NMR spectroscopy and/or NMR imaging of a sample. The apparatus comprises a static probe comprising an outer coil for excitation of nuclei of said sample by generating an incident radio frequency field at the Larmor frequency of said nuclei, and for reception of a return radio frequency field emitted by said sample, and a sensitive inner coil (6a' ) which is mounted closely around or in contact with the sample container and which is wirelessly coupled to said outer coil by an electromagnetic radio frequency field. The sensitive inner coil is embedded in an inner spinning rotor (2) which is rotatively mounted inside said static probe and which is integral with said sample container, so that the filling factor and the radio frequency field amplitude in said sensitive coil are maximized.

Contact:D. Sakallariou

27-12-2007
C. Fermon, J.F. Jaquinot, M Pannetier-Lecoeur et J. Scola

Numéro d'identification international: WO/2007/148029 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1714
Date de dépôt : 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Système de mesure d'un signal de résonance magnétique à base d'un capteur hybride supraconducteur magnétorésistif

Le système de mesure d'un signal de résonance magnétique au sein d'un échantillon  placé dans un champ magnétique extérieur statique (H), comprend un dispositif d'excitation (1 à 3, 6 à 10) pour appliquer des impulsions radiofréquence de forte intensité à une fréquence d'émission prédéterminée fe dans une zone de mesure contenant l'échantillon. Le dispositif d'excitation comprend une bobine d'excitation (3) raccordée à la fréquence d'émission prédéterminée fe et disposée au voisinage de l'échantillon de manière à émettre un champ électromagnétique essentiellement perpendiculaire au champ magnétique extérieur statique (H). Le système comprend en outre au moins un capteur hybride supraconducteur-magnétorésistif comprenant une boucle supraconductrice munie d'une constriction apte à augmenter significativement la densité du courant et au moins un capteur magnétorésistif placé à proximité immédiate de la constriction, en étant séparé de celle-ci par un dépôt isolant.


 

System and method for measuring a magnetic resonance signal (lien WIPO)

The system for measuring a magnetic resonance signal within a sample placed in a static exterior magnetic field (H), comprises an excitation device (1 to 3, 6 to 10) for applying radio frequency pulses of strong intensity at a predetermined emission frequency fe in a measurement zone containing the sample. The excitation device comprises an excitation coil aligned with the predetermined emission frequency fe and disposed in the vicinity of the sample in such a way as to emit an electromagnetic field essentially perpendicular to the static exterior magnetic field (H). The system furthermore comprises at least one supraconducting-magnetoresistive hybrid sensor comprising a supraconducting loop furnished with a constriction able to significantly increase the density of the current and at least one magnetoresistive sensor placed in immediate proximity to the constriction, while being separated from the latter by an insulating deposition.

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

27-12-2007

Numéro d'enregistrement international : WO/2007/148028 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD 1713
Date de dépôt: 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Procédé et système pour ajuster la sensibilité d'un capteur magnétorésistif

Le système pour mesurer des champs magnétiques ou des courants élevés à l'aide d'au moins un capteur magnétorésistif (80) comprend un dispositif d'application d'un champ magnétique de polarisation prédéterminé connu Hbias selon une direction telle qu'il présente une composante du champ non nulle perpendiculaire à une direction de détection du capteur magnétorésistif (80) qui correspond également à une direction d'anisotropie d'une couche du capteur magnétorésistif, un dispositif de mesure de la variation de résistance du capteur magnétorésistif (80) et une unité de détermination du champ magnétique extérieur à mesurer H à partir de la variation de résistance mesurée, la résistance du capteur étant soumise à une fonction monotone de variation.

 


Method and system for adjusting the sensitivity of a magnetoresistive sensor (lien WIPO)

 

The system for measuring high currents or magnetic fields using at least one magnetoresistive sensor (80) comprises a device for applying a known predetermined magnetic bias field Hbias along a direction such that it has a non-zero component of the field perpendicular to a detection direction of the magnetoresistive sensor (80) that also corresponds to a direction of anisotropy of a layer of the magnetoresistive sensor, a device for measuring the variation in resistance of the magnetoresistive sensor (80) and a unit for determining the external magnetic field H to be measured as a result of the measured resistance variation, the resistance of the sensor being subjected to a monotonic variation function

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

22-11-2007

Numéro d'identification : WO/2007/132089 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA:  BD1717
Année de dépôt: 15-05-2006

Année de publication: 22-11-2007

Procédé de dépôt d'un film mince nanométrique sur un substrat

L'invention correspond à un procédé de dépôt de film mince nanométrique multicouche sur un substrat à partir d'une soltution liquide contenant au moins un tensio-actif caractérisé an ce qu'il comporte les étapes suivantes: formation d'un film à partir de la solution, mise en contact avec le substrat, dépôt du film sur le substrat. L'invention est particulièrement adaptée pour déposer les films noirss sur différents types de surface. Elle permet notamment  d'obtenir des films possédant une grande organisation. Les films obtenus selon ce procédé sont  utilisables dans les domaines de l'électronique et de l'optique.

 


Method for depositing a nanometric thin film on a substrate (Lien  WIPO)

 

The invention concerns in particular a method for depositing a nanometric multilayer thin film on a substrate from a liquid solution containing at least one surfactant, characterized in that it includes the following steps: forming a film from the solution; contacting the substrate; depositing the film on the substrate. The invention is particularly designed to depositing black films on different types of surfaces, in particular for obtaining highly organized films. The films obtained by said method are particularly useful in electronics and optics.

Contact : Jean Jacques Benattar

20-09-2007
J.P. Bourgoin , V. Derycke et J. Borghetti

Numéro d'identification : WO/2007/104858 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1666
Année de dépôt : 14-03-2006
Date de publication : 20-09-2007

Dispositif de détection/mémorisation de rayonnements électromagnétiques, procédé de fabrication, utilisation de ce dispositif et imageur l'incorporant

La présente invention concerne un dispositif de détection et de mémorisation de rayonnements électromagnétiques, un imageur l'incorporant, un procédé pour la fabrication dudit disupositif et une utilisation de ce dernier. Un dispositif (1) selon l'invention, comprenant un phototransistor à effet de champ qui comporte: - deux électrodes de contact de source (S) et de drain (D), - une unité de conduction électrique qui est connectée aux électrodes de contact et qui est recouverte d'une couche polymérique photosensible (3) apte à absorber les: rayonnements, à détecter, a générer en réponse des charges détectées par ladite unité et I à stocker ces charges, et - une électrode de grille (G) qui est adaptée pour contrôler le courant électrique dans l'unité ainsi que la répartition supatiale des charges dans ladite couche et qui est séparée de ladite unité par un diélectrique de grille (4), est tel que l'unité de conduction comporte au moins un nanotube ou nanofil (2) semi-; conducteur apte à fournir un signal électrique représentatif d'une modification de; conductivité du phototransistor ayant été exposé à un rayonnement, et que le diélectrique! de grille présente une épaisseur et une permittivité ε,, qui satisfont à t,le >0,2 nm*1, de sorte que la conductivité après exposition puisse être réinitialisée électriquement en un, temps minimisé et que ledit dispositif forme au moins un pixel d'imagerie.


Device for detecting/storing electromagnetic beams, method for making same, and use thereof and imager incorporating same
(WIPO link)

  The invention concerns a device for detecting and storing electromagnetic beams, an imager incorporating same, a method for making said device and use thereof. The inventive device (1) comprises a field-effect phototransistor including: two source (S) and drain (D) contact electrodes, an electrical conduction unit which is connected to the two contact electrodes and which is coated with a photosensitive polymeric coating (3) capable of absorbing the beams, of detecting, of generating in resuponse the loads detected by said unit and of storing said loads, and a gate electrode (G) which is capable of controlling the electric current in the unit as well as supatially distributing the loads in said coating and which is separated from said unit by a gate dielectric (4). Said device is configured such that the conduction unit comprises at least one semiconductive nanotube or nanowire (2) capable of supplying an electric signal representing a modification of the conductivity of the phototransistor having been exposed to a beam, and that the gate dielectric has a thickness and a permittivity ε, which satisfy εr>0.2 nm*1, so that the conductivity after exposition may be electrically reset in a reduced time and that the device forms at least one imaging pixel.

Contact: J.P. Bourgoin

 

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