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Patents 2007

03-05-2007
P. Baroni, H. Mendil, L. Noirez

N° de publication internationale : WO 2007/048890 A1   (lien OMPI)

N° d'identification CEA: BD 1623

Année de dépôt: 27-10-2005

Année de publication: 03-05-2007

Procédé et dispositif pour la détermination d'au moins une propriété dynamique d'un matériau fluide ou solide déformable

Méthode de détermination d'au moins une caractéristique dynamique d'un échantillon fluide ou solide déformable comprenant :
•-  le contact de l'échantillon avec au moins une surface d'interaction,
•-  l'application d'un mouvement relatif entre l'échantillon et la surface d'interaction,
•-  la mesure d'au moins une caractéristique cinématique ou dynamique de l'échantillon,
•-  la surface d'interaction est caractérisée par une mouillabilité intrinsèque par rapport au matériau de l'échantillon, supérieure à celle des métaux.
•-  Dispositif de mise en œuvre de cette méthode.

Selon certaines réalisations, la surface d'interaction est faite de haute densité frittée de céramique ou d'un seul cristal de silicium ou de germanium, de préférence ayant une porosité ouverte nulle et une moyenne arithmétique des paramètres de rugosité inférieure à 12,5µm, et de préférence entre 0,4 et 1,6 µm.


Method and device for determining at least one dynamic property of a deformable solid or fluid material (Lien WIPO)

Method of determining at least one dynamic characteristic of a sample of a deformable solid or fluid material, comprising: the contacting of said sample  with at least one interaction surface; the application of a relative movement between said sample and said interaction surface ; and the measurement of at least one dynamic or kinematic quantity in respect of the sample and/or said interaction surface, wherein said interaction surface has an intrinsic wettability with respect to the material that is higher than that of metals. Device for implementing this method. According to particular embodiments, said interaction surface is made of high-density sintered ceramic or made of single crystal silicon or germanium, preferably having a zero open porosity and an arithmetic mean roughness parameter of less than 12.5 µm and preferably between 0.4 and 1.6 µm.

Fichier PDF associé

27-12-2007
C. Fermon, J.F. Jaquinot, M Pannetier-Lecoeur et J. Scola

Numéro d'identification international: WO/2007/148029 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA: BD 1714
Date de dépôt : 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Système de mesure d'un signal de résonance magnétique à base d'un capteur hybride supraconducteur magnétorésistif

Le système de mesure d'un signal de résonance magnétique au sein d'un échantillon  placé dans un champ magnétique extérieur statique (H), comprend un dispositif d'excitation (1 à 3, 6 à 10) pour appliquer des impulsions radiofréquence de forte intensité à une fréquence d'émission prédéterminée fe dans une zone de mesure contenant l'échantillon. Le dispositif d'excitation comprend une bobine d'excitation (3) raccordée à la fréquence d'émission prédéterminée fe et disposée au voisinage de l'échantillon de manière à émettre un champ électromagnétique essentiellement perpendiculaire au champ magnétique extérieur statique (H). Le système comprend en outre au moins un capteur hybride supraconducteur-magnétorésistif comprenant une boucle supraconductrice munie d'une constriction apte à augmenter significativement la densité du courant et au moins un capteur magnétorésistif placé à proximité immédiate de la constriction, en étant séparé de celle-ci par un dépôt isolant.


 

System and method for measuring a magnetic resonance signal (lien WIPO)

The system for measuring a magnetic resonance signal within a sample placed in a static exterior magnetic field (H), comprises an excitation device (1 to 3, 6 to 10) for applying radio frequency pulses of strong intensity at a predetermined emission frequency fe in a measurement zone containing the sample. The excitation device comprises an excitation coil aligned with the predetermined emission frequency fe and disposed in the vicinity of the sample in such a way as to emit an electromagnetic field essentially perpendicular to the static exterior magnetic field (H). The system furthermore comprises at least one supraconducting-magnetoresistive hybrid sensor comprising a supraconducting loop furnished with a constriction able to significantly increase the density of the current and at least one magnetoresistive sensor placed in immediate proximity to the constriction, while being separated from the latter by an insulating deposition.

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

27-12-2007

Numéro d'enregistrement international : WO/2007/148028 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD 1713
Date de dépôt: 22-06-2006

Année de publication: 27-12-2007

Procédé et système pour ajuster la sensibilité d'un capteur magnétorésistif

Le système pour mesurer des champs magnétiques ou des courants élevés à l'aide d'au moins un capteur magnétorésistif (80) comprend un dispositif d'application d'un champ magnétique de polarisation prédéterminé connu Hbias selon une direction telle qu'il présente une composante du champ non nulle perpendiculaire à une direction de détection du capteur magnétorésistif (80) qui correspond également à une direction d'anisotropie d'une couche du capteur magnétorésistif, un dispositif de mesure de la variation de résistance du capteur magnétorésistif (80) et une unité de détermination du champ magnétique extérieur à mesurer H à partir de la variation de résistance mesurée, la résistance du capteur étant soumise à une fonction monotone de variation.

 


Method and system for adjusting the sensitivity of a magnetoresistive sensor (lien WIPO)

 

The system for measuring high currents or magnetic fields using at least one magnetoresistive sensor (80) comprises a device for applying a known predetermined magnetic bias field Hbias along a direction such that it has a non-zero component of the field perpendicular to a detection direction of the magnetoresistive sensor (80) that also corresponds to a direction of anisotropy of a layer of the magnetoresistive sensor, a device for measuring the variation in resistance of the magnetoresistive sensor (80) and a unit for determining the external magnetic field H to be measured as a result of the measured resistance variation, the resistance of the sensor being subjected to a monotonic variation function

Contacts: C. Fermon et M Pannetier-Lecoeur

22-11-2007

Numéro d'identification : WO/2007/132089 (Lien OMPI)
Numéro d'identification CEA:  BD1717
Année de dépôt: 15-05-2006

Année de publication: 22-11-2007

Procédé de dépôt d'un film mince nanométrique sur un substrat

L'invention correspond à un procédé de dépôt de film mince nanométrique multicouche sur un substrat à partir d'une soltution liquide contenant au moins un tensio-actif caractérisé an ce qu'il comporte les étapes suivantes: formation d'un film à partir de la solution, mise en contact avec le substrat, dépôt du film sur le substrat. L'invention est particulièrement adaptée pour déposer les films noirss sur différents types de surface. Elle permet notamment  d'obtenir des films possédant une grande organisation. Les films obtenus selon ce procédé sont  utilisables dans les domaines de l'électronique et de l'optique.

 


Method for depositing a nanometric thin film on a substrate (Lien  WIPO)

 

The invention concerns in particular a method for depositing a nanometric multilayer thin film on a substrate from a liquid solution containing at least one surfactant, characterized in that it includes the following steps: forming a film from the solution; contacting the substrate; depositing the film on the substrate. The invention is particularly designed to depositing black films on different types of surfaces, in particular for obtaining highly organized films. The films obtained by said method are particularly useful in electronics and optics.

Contact : Jean Jacques Benattar

20-09-2007
J.P. Bourgoin , V. Derycke et J. Borghetti

Numéro d'identification : WO/2007/104858 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1666
Année de dépôt : 14-03-2006
Date de publication : 20-09-2007

Dispositif de détection/mémorisation de rayonnements électromagnétiques, procédé de fabrication, utilisation de ce dispositif et imageur l'incorporant

La présente invention concerne un dispositif de détection et de mémorisation de rayonnements électromagnétiques, un imageur l'incorporant, un procédé pour la fabrication dudit disupositif et une utilisation de ce dernier. Un dispositif (1) selon l'invention, comprenant un phototransistor à effet de champ qui comporte: - deux électrodes de contact de source (S) et de drain (D), - une unité de conduction électrique qui est connectée aux électrodes de contact et qui est recouverte d'une couche polymérique photosensible (3) apte à absorber les: rayonnements, à détecter, a générer en réponse des charges détectées par ladite unité et I à stocker ces charges, et - une électrode de grille (G) qui est adaptée pour contrôler le courant électrique dans l'unité ainsi que la répartition supatiale des charges dans ladite couche et qui est séparée de ladite unité par un diélectrique de grille (4), est tel que l'unité de conduction comporte au moins un nanotube ou nanofil (2) semi-; conducteur apte à fournir un signal électrique représentatif d'une modification de; conductivité du phototransistor ayant été exposé à un rayonnement, et que le diélectrique! de grille présente une épaisseur et une permittivité ε,, qui satisfont à t,le >0,2 nm*1, de sorte que la conductivité après exposition puisse être réinitialisée électriquement en un, temps minimisé et que ledit dispositif forme au moins un pixel d'imagerie.


Device for detecting/storing electromagnetic beams, method for making same, and use thereof and imager incorporating same
(WIPO link)

  The invention concerns a device for detecting and storing electromagnetic beams, an imager incorporating same, a method for making said device and use thereof. The inventive device (1) comprises a field-effect phototransistor including: two source (S) and drain (D) contact electrodes, an electrical conduction unit which is connected to the two contact electrodes and which is coated with a photosensitive polymeric coating (3) capable of absorbing the beams, of detecting, of generating in resuponse the loads detected by said unit and of storing said loads, and a gate electrode (G) which is capable of controlling the electric current in the unit as well as supatially distributing the loads in said coating and which is separated from said unit by a gate dielectric (4). Said device is configured such that the conduction unit comprises at least one semiconductive nanotube or nanowire (2) capable of supplying an electric signal representing a modification of the conductivity of the phototransistor having been exposed to a beam, and that the gate dielectric has a thickness and a permittivity ε, which satisfy εr>0.2 nm*1, so that the conductivity after exposition may be electrically reset in a reduced time and that the device forms at least one imaging pixel.

Contact: J.P. Bourgoin

 

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