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Patents 2006

23-02-2006
J. Borghetti, J.P. Bourgoin , P. Mordant, V. Derycke, A. Filoramo et M. Goffman,

Numéro d'identification : WO/2006/018497 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD: 1574
Année de dépôt : 20-07-2004
Date de publication : 23-02-2006

Dispositif semiconducteur à nanotube ou nanofil, configurable optiquement

L'invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant au moins un nanotube ou un nanofil, notamment de carbone, ainsi qu'au moins deux électrodes, caractérisé en ce qu'elles comportent au moins un nanotube ou un nanofil semiconducteur ayant au moins une région au moins en partie recouverte d'une couche de molécules ou de nanocristaux d'un matériau photo-sensible, une liaison électrique entre les deux électrodes étant réalisée par au moins un nanotube ou un nanofil semiconducteur.


Optically-configurable nanotube or nanowire semiconductor device
(WIPO link)

The invention relates to a semiconductor device comprising at least one nanotube or nanowire, such as a carbon nanotube or nanowire, as well as two electrodes. The invention is characterized in that the device comprises at least one semiconductor nanotube or nanowire having at least one region which is at least partially covered with at least one layer of molecules or nanocrystals made from at least one photo-sensitive material. According to the invention, an electrical connection is provided between the two electrodes by at least one nanotube, namely the semiconductor nanotube or nanowire, and optionally at least one other nanotube or nanowire.

Contact: J.P. Bourgoin

12-10-2006

Numéro d'identification : WO/2008/043918 (Lien OMPI, fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1743
Année de dépôt : 26-03-2002
Date de publication : 12-10-2006

Procédé en deux étapes de formation de films organiques sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité à partir de solutions aqueuses

La première étape consiste en l'électrolyse d'une solution électrolytique, comprenant un primaire d'adhésion au contact de cette surface. La seconde étape correspond à la réaction, sur la surface préalablement obtenue, d'une solution contenant les espèces suivantes : un solvant protique et un monomère polymérisable par voie radicalaire. Le procédé est caractérisé par le fait que le monomère polymérisable est solubilisé sous forme micellaire. L'invention concerne également les surfaces obtenues par la mise en œuvre de ce procédé, leurs applications, notamment pour la préparation de composants microélectroniques, de dispositifs biomédicaux ou de kits de criblage, ainsi que des kits de préparation d'un film organique copolymérique sur une surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité.

 


Two-step method for forming organic films on electrically conducting surfaces from aqueous solutions
(WIPO link)

 

The invention relates to a method for preparing a copolymer organic film on an electrically conductive or semi-conductive surface in two steps. The first step comprises the electrolysis of an electrolytic solution containing an adhesion primer in contact with said surface, and the second step comprises the reaction on the surface previously obtained of a solution containing the following supecies: a protic solvent and a radical-polymerizable monomer; said method is characterised in that the polymerizable monomer is solubilized in a micellar form. The invention also relates to surfaces obtained by said method, to their application in particular for produci

Contact: G. Deniau

21-09-2006

Numéro d'identification : WO/2006/097611 (lien OMPI)
Numéro d'identification CEA BD 1612
Année de dépôt : 15-03-2005
Date de publication : 21-09-2006

Formation de films ultraminces greffés sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité

L'invention est relative à l'utilisation de précurseurs organiques comportant un groupe électroattracteur pour la formation, par greffage électrochimique, d'un film organique homogène, de préférence d'une épaisseur inférieure ou égale 10 nm, sur une surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité ; ainsi qu'au procédé correspondant de formation d'un film organique homogène ultramince sur une surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité.


Formation of ultra-thin films that are grafted to electrically-conducting or -semiconducting surfaces (WIPO link)

The invention relates to the use of organic precursors comprising an electroattractive group for the formation, by means of electrochemical grafting, of a uniform organic film, preferably having a thickness of less than or equal to 10nm, on an electrically-conducting or semiconducting surface. The invention also relates to the corresponding method of forming a uniform ultra-thin organic film on an electrically-conducting or semiconducting surface.

 Contact : S.Palacin

18-05-2006
F. Tenegal, B. Guizard, N Herlin- Boime et D.¨Porterat

Numéro d'identification : WO/2006/051233 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 09-11--2004
Date de publication : 18-05-2006

Système et procédé de production de poudres nanométriques ou sub-micrométriques en flux continu sous l'action d'une pyrolyse laser

L'invention porte sur un système de production de poudres nanométriques ou sub-micrométriques en flux continu sous l'action d'une pyrolyse laser dasn une zone d'interaction définie par un faisceau (11) laser (10) et un flux de réactifs (13) émis par un injecteur (14). Le laser est suivi par des moyens optiques (12) de répartition de l'énergie du faisceau selon un axe perpendiculaire à l'axe de chaque flux de réactifs, en une section allongée de dimensions réglables au niveau de la zone d'interaction. L'invention porte également sur le un procédé de production de telles poudres.

 


System and method for continuous flow production of nanometric or sub-micrometric powders by the action of a pyrolytic laser
(WIPO link)

 

The invention relates to a system for continuous flow production of nanometric or sub-micrometric powders, by the action of a pyrolytic laser in at least zone of interaction between a beam (11), emitted by a laser (10) and a flow of reactants (13), emitted by an injector (14), in which the laser is followed by optical means (12), for distribution of the energy of the beam emitted thereby along an axis perpendicular to the axis of each of the reactant flows in a long adjustable section at the level of said at least one interaction zone. The invention further relates to a method for production of said powders.

Contact: N. Herlin-Boime

28-02-2006
S. Palacin et G. Deniau

Numéro d'identification : WO/2007/099218 (Lien OMPI, fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1660
Année de dépôt : 15-03-2005
Date de publication : 28-02-2006

Procédé de formation de films organiques sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité à partir de solutions aqueuses

L'invention concerne des revêtements de surface sous la forme de films organiques. Elle est plus particulièrement relative à un procédé de formation de films organiques copolymériques par greffage électrochimique sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité à partir de solutions aqueuses électrolytiques renfermant au moins un solvant protique, un amorceur de polymérisation par voie radicalaire soluble dans le solvant protique, un monomère polymérisable par voie radicalaire et un tensioactif. L'invention concerne également les surfaces obtenues en mettant en œuvre ce procédé et leurs applications, notamment pour la préparation de composants microélectroniques, de dispositifs biomédicaux ou de kits de criblage, ainsi que la solution électrolytique mise en œuvre au cours du procédé.



Method of forming organic films on electrically conducting or semiconducting surfaces from aqueous solutions(WIPO link)

 

The present invention relates to the field of surface coatings, said coatings being in the form of organic films. It relates more particularly to a method of forming copolymeric organic films by electrochemical grafting onto electrically conducting or semiconducting surfaces from aqueous electrolyte solutions containing at least one protic solvent, at least one radical polymerization initiator soluble in the protic solvent, at least one radical-polymerizable monomer, and at least one surfactant. The invention also relates to the surfaces obtained by implementing this method, to their applications, in particular for the preparation of microelectronic components, biomedical devices or screen kits, and also to the electrolyte solution employed during the method.

Contact: S. Palacin

15-01-2006
G. Cheymol, P. Cormont, P.Y. Thro, O. Sublemontier, M. Schmidt et B. Barthod

Numéro d'identification : WO/2006/000718 (lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 14-06-2004
Date de publication : 05-01-2006  

Dispositif de génération de lumière dans l'extrême ultraviolet (EUV) et application à une source de lithographie par rayonnement dans l'extrême ultraviolet

Le dispositif comprend un dispositif (2) pour créer, dans un espace sous vide où sont focalisés des faisceaux laser (1), une cible (4) linéaire, apte à produire par interaction avec les faisceaux laser focalisés (1) un plasma, émettant un rayonnement dans l'extrême ultraviolet. Un dispositif récepteur (3) reçoit la cible (4) après son interaction avec les faisceaux laser focalisés (1), tandis qu'un dispositif collecteur (110) collecte le rayonnement EUV émis par la cible (4). Les éléments (11) de focalisation des faisceaux laser sur la cible (4) sont agencés de telle sorte que les faisceaux laser (1) soient focalisés latéralement sur la cible (4) en étant situés dans un même demi-espace par rapport à la cible (4) et en étant inclinés d'un angle prédéterminé compris entre environ 60° et 90° par rapport à un axe moyen de collecte (6) perpendiculaire à la cible (4). Le dispositif collecteur (110) est disposé symétriquement par rapport à l'axe moyen de collecte (6) dans le demi-espace contenant les faisceaux laser (1) focalisés sur la cible (4) et à l'intérieur d'un espace conique (8) centré sur l'axe moyen de collecte (6) avec un sommet situé sur la cible (4) et un demi-angle au sommet inférieur à l'angle d'inclinaison des faisceaux laser focalisés (1) par rapport à l'axe moyen de collecte (6). Le dispositif est applicable à une source de lithographie par rayonnement EUV pour la fabrication de circuits intégrés.


Device for generating extreme ultraviolet light and application to an extreme ultraviolet radiation lithography source
(WIPO link)

The invention concerns a device (2) for creating, in a vacuum space where laser beams (1) are focused, a substantially linear target capable of emitting by interaction with the focused laser beams (1) a plasma emitting an extreme ultraviolet radiation. A receiver device (3) receives the target (4) after its interaction with the focused laser beams (2), while a collector device (110) collects the EUV radiation emitted by the target (4). The elements (11) focusing the laser beams on the target (4) are arranged such that the laser beams (1) are focused laterally on the target (4) by being located in a common half-space relative to the target (4) and by being inclined at a predetermined angle between about 60° and 90° relative to a mean collecting axis (6) perpendicular to the target (4). The collector device (110) is arranged symmetrically relative to the means collecting axis (6) in the half-supace containing the laser beams (1) focused on the target (4) and inside a conical supace (8) centered on the mean collecting axis (6) with an apex located on the target (4) and a half-angle at apex smaller than the angle of inclination of the focused laser beams (1) relative to the mean collecting axis (6). The device is applicable to a EUV radiation lithography source for making integrated circuits.

Contact: M. Schmidt

19-01-2006
C. Radtke, M. Silly, P. Soukiassian et H. Enriquez

Numéro d'identification : WO/2006/005869 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1552
Année de dépôt : 21-06-2004
Date de publication : 19-01-2006 

Procédé de métallisation de surface préalablement passivée d'un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé

Procédé de métallisation d'une surface préalablement passivée d'un matériau semi-conducteur et matériau obtenu par ce procédé. Selon l'invention, qui s'applique notamment en microélectronique, on prépare la surface de matériau (2) de façon qu'elle possède des liaisons capables d'adsorber des atomes d'hydrogène ou d'un élément métallique, on passive une ou plusieurs couches, de préférence immédiatement sous-jacentes à la surface, en l'exposant à un composé de passivation, et l'on métallise la surface (4) en l'exposant à des atomes d'hydrogène ou de l'élément métallique. 


Method for metalizing a passivated surface of a semiconductor material and resulting material
(WIPO link)

The invention concerns a method for metalizing a passivated surface of a semiconductor material and resulting material. The invention, which is applicable in microelectronics, is characterized in that it consists in: preparing the surface of the material (2) so that it contains bonds capable of absorbing hydrogen atoms or a metal element, passivating one or more layers, preferably immediately underlying the surface, by exposing same to a passivating compound, and metalizing the surface (4) by exposing same to hydrogen atoms or the metal element.

Contact: P. Soukiassian

05-01-2006
V. Aroutiounian, K. Martirosyan et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2006/000688 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1511
Année de dépôt : 02-06-2004
Date de publication : 05-01-2006 

Revêtements anti-réfléchissants pour piles solaires et procédé pour les fabriquer

L'invention propose un revêtement anti-­réfléchissant (20) comprenant, en combinaison, une couche interne (21) de silicium poreux anti­-réfléchissant et une couche externe (22) de carbone sous forme de diamant amorphe non poreuse et dépourvue d'espèces étrangères. Il est décrit également un procédé de fabrication d'un revêtement anti-réfléchissant, ainsi que son utilisation comme revêtement pour une pile solaire (10). Le revêtement est moins susceptible de se dégrader avec le temps et peut améliorer le domaine spectral de conversion efficace du rayonnement. 


Anti-reflecting coatings for solar batteries and method for the production thereof (WIPO link

The invention relates to an anti-reflecting coating (20) comprising a combined inner coating (21), made of anti-reflecting silicon, and outer coating (22) made of carbon in the form of an amorphous diamond which is essentially non-porous and essentially devoid of foreign species. The invention also relates to a method for the production of an anti-reflecting coating and to the use thereof as a coating for a solar batter (10). The coating is less likely to deteriorate with time and can improve the spectral domain of efficient conversion of radiation.

Contact: P. Soukiassian

 

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