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Patents 2004

19-09-2004
J.F. Dozol, M. Schmidt, P. Wang et V. Böhmer

Numéro d'identification : WO/2004/076509 (Lien OMPI et fichier Pdf associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 26-02-2003
Date de publication : 10-09-2004

Dendrimères phosphorés : procédé de préparation et utilisation pour l'extraction des actinides et des lanthanides

L'invention concerne de nouveaux dendrimères phosphorés comportant un coeur, au moins une génération et une couche externe constituée, en tout ou partie, de motif. Ces motifs répondent à la formule (I) suivante dans laquelle R1 et R2 sont des groupes alkyle, alcoxy ou aryle. Ces dendrimères sont utiles pour extraire les actinides et les lanthanides à partir de solutions aqueuses les contenant.

 


Phosphorous dendrimers, preparation method thereof and use of same for the extraction of actinides and lanthanides
(WIPO link)

 

The invention relates to novel phosphorous dendrimers comprising a core, at least one generation and an outer layer. These motifs have for formula (I), wherein: R1 and R2  represent alkyl, alkoxy or aryl groups. The dendrimers can be used to extract actinides and lanthanides from aqueous solutions containing same.

Contact:  M. Schmidt

04-03-2004
C. Bureau, S. Palacin et G. Deniau

Numéro d'identification : WO/2004/018573 (Lien OMPI, Fichier PDSF associé)
Numéro d'identification  CEA : BD1435
Date de dépôt : 26-02-2002
Date de publication : 04-03-2004

Procédé de garniture d'une surface par un film organique

L'invention porte sur un procédé de garniture d'une surface simple ou complexe, conductrice ou semi-conductrice de l'électricité, par un film organique à partir d'un précurseur du film organique. Le film organique de revêtement de surface est réalisée par électro-greffage d'au moins un précurseur par application d'un balayage de potentiels. Ce balayage est effectué de manière à ce qu'en tout point de la surface le potentiel maximal est, en valeur absolue et par rapport à une électrode de référence, supérieur ou égal à la valeur de potentiel (Vbloc) à partir de laquelle on observe une saturation de la quantité de précurseur électro-greffé sur une surface de référence (superposition des courbes exprimant la quantité de précurseur électro-greffé en fonction du nombre de balayages de potentiel, indépendamment de la valeur du potentiel Vbloc).

 


Method of coating a surface with an organic film
(WIPO link

 

The invention relates to a method of coating a simple or complex, conducting or semiconducting surface with an organic film using at least one precursor of said organic film. The invention is characterised in that the surface is coated with the organic film through the initiated electro-grafting of said at least one precursor onto the surface by performing at least one potential scanning on the surface such that, at every point of the surface, the maximum potential of each scanning of potentials, in absolute value and in relation to a reference electrode, is greater than or equal to the potential value (Vbloc) from which the curves of a graphic representation, expressing the quantity of electro-grafted precursor on a surface identical to said surface according to the number of potential scannings, all overlap and are independent of potential Vbloc.

Contact: S. Palacin et G. Deniau

02-01-2004
T.Thanh-Toan et T.H. Tran-thi

Numéro d'identification : WO/2003/104517 (Lien OMPI, Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA: BD 1409
Année de dépôt : 11-06-2002
Année de publication : 02-01-2004

Procédé et dispositif d'incorporation d'un composé dans les pores d'un matériau poreux et leurs utilisations

 L'invention se rapporte à un procédé et à un dispositif d'incorporation d'un composé dans les pores d'un matériau poreux choisi parmi les matériaux microporeux et mésoporeux obtenus par le procédé sol-gel, ainsi qu'aux utilisations de ce procédé et de ce dispositif. Le procédé comprend la vaporisation ou la sublimation du composé dans une enceinte contenant le matériau poreux. Utilisations : dopage de matériaux microporeux et mésoporeux obtenus par le procédé sol-gel et, en particulier, de matériaux mésoporeux aux tensioactifs structurants, pour la fabrication de capteurs et multicapteurs chimiques, de tamis moléculaires, de membranes sélectives pour la filtration, de phases stationnaires pour la chromatographie, de matériaux optiques ou optoélectroniques.

 


Method and device for incorporating a compound in the pores of a porous material and uses thereof

 

 The invention concerns a method and device for incorporating a compound in the pores of a porous material selected among microporous and mesoporous materials obtained by sol-gel process, as well as the uses of said method and said device. The method comprises vaporization or sublimation of the compound in a chamber containing the porous material. The invention is useful for doping microporous or mesoporous materials obtained by sol-gel process and, in particular, materials mesoporous relative to structuring surfactants, for making chemical sensors and multisensors, molecular sieves, selective filtering membranes, stationary phases for chromatography, optical or optoelectronic materials.

 Contact: T.H. Tran-thi

19-09-2004
J.F. Dozol, M. Schmidt, P. Wang et V. Böhmer

Numéro d'identification : WO/2004/076509 (Lien OMPI et fichier Pdf associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 26-02-2003
Date de publication : 10-09-2004

Dendrimères phosphorés : procédé de préparation et utilisation pour l'extraction des actinides et des lanthanides

L'invention concerne de nouveaux dendrimères phosphorés comportant un coeur, au moins une génération et une couche externe constituée, en tout ou partie, de motif. Ces motifs répondent à la formule (I) suivante dans laquelle R1 et R2 sont des groupes alkyle, alcoxy ou aryle. Ces dendrimères sont utiles pour extraire les actinides et les lanthanides à partir de solutions aqueuses les contenant.

 


Phosphorous dendrimers, preparation method thereof and use of same for the extraction of actinides and lanthanides
(WIPO link)

 

The invention relates to novel phosphorous dendrimers comprising a core, at least one generation and an outer layer. These motifs have for formula (I), wherein: R1 and R2  represent alkyl, alkoxy or aryl groups. The dendrimers can be used to extract actinides and lanthanides from aqueous solutions containing same.

Contact:  M. Schmidt

15-01-2004
M. D'Angelo, V. Aristov et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2004/005593 (lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1447
Année de dépôt : 05-07-2002
Date de publication : 15-01-2004  

Nano-objets métalliques, formés sur des surfaces de semi-conducteurs, et leur procédé de fabrication

Nano-objets métalliques, formés sur des surfaces de semi-conducteurs, et leur procédé de fabrication. L'invention s'applique en nano-électronique et permet par exemple d'obtenir des nano-objets (4) par dépôt d'un métal sur une surface préparée (2) de SiC de structure cubique.


Metal nano-objects, formed on semiconductor surfaces, and method for making said nano-objects
(WIPO link)

The invention concerns metal nano-objects, formed on semiconductor surfaces, and the process for making them. The invention is applicable in nanoelectronics for example to obtain nano-objects (4) by deposition of a metal on a prepared surface of cubic SiC (2).

Contact: P. Soukiassian

 

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