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Patents 2002

24-10-2002
M. Schmidt , O. Sublemontier, T. Ceccotti et M. Segers

Numéro d'identification : WO 2002/085080 (Lien OMPI et fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 18-04-2001
Date de publication : 24-10-2002  

Procédé et dispositif de génération de lumière dans l'extrême ultraviolet notamment pour la lithographie

Selon l'invention, on fait interagir un faisceau laser (24) et un brouillard dense (20) de micro-gouttelettes d'un gaz rare liquéfié. On utilise en particulier le xénon liquide (6), produit par liquéfaction de xénon gazeux (10) avec lequel on pressurise le xénon liquide à une pression de 5x105 Pa à 50x105 Pa, et l'on maintient ce xénon liquide à une température de -70°C à -20°C, on injecte le xénon liquide pressurisé dans une buse (4) dont le diamètre intérieur minimal va de 60 μm à 600 μm, cette buse débouchant dans une zone où la pression est égale ou inférieure à 10-1 Pa.

 


Method and device for generating extreme ultraviolet radiation in particular for lithography
(WIPO link)

 

The invention concerns a method which consists in causing a laser beam (24) to interact with a dense mist (20) of micro-droplets of a liquefied rare gas. In particular liquid xenon (6) is used, the latter being produced by liquefying a gaseous xenon (10) whereby the liquid xenon is pressurised to a pressure of 5x105 Pa to 50x105 Pa, and said liquid xenon is maintained at a temperature between -70 °C and -20 °C, said pressurised liquid xenon is injected into a nozzle (4) whereof the minimum internal diameter ranges between 60 μm and 600 μm, said nozzle emerging into a zone where the pressure is not less than 10-1 Pa.

Contact:  M. Schmidt

12-09-2002
S. Palacin , C. Bureau, JP Bourgoin, J. Charlier et S. Ameur

Numéro d'identification : WO 2002/070148 (lien OMPI)
Numéro d'identification  CEA : BD1356
Date de dépôt : 02-03-2001
Date de publication : 12-09-2002

Procédé de greffage organique localisé sans masque sur des portions conductrices ou semiconductrices de surfaces composites

Procédé de greffage localisé sans masque de molécules organiques susceptibles d'être électriquement activées, sur une surface composite comprenant des portions conductrices et/ou semi-conductrices, par mise en contact des molécules avec la surface. Le greffage est réalisé électrochimiquement en une seule étape sur des zones choisies,  ces zones étant portées à un potentiel supérieur ou égal à un potentiel électrique seuil déterminé par rapport à une électrode de référence. Le potentiel électrique seuil est le potentiel au-delà duquel se produit le greffage des molécules organiques.

 



Method for mask-free localised organic grafting on conductive or semiconductive portions of composite surfaces(WIPO link)

 

The invention concerns a mask-free localised grafting of organic molecules capable of being electrically activated, on a composite surface comprising conductive and/or semiconductive portions, by contacting the organic molecules with the composite surface. The grafting is carried out electrochemically in one single step on specific selected zones of the conductive and/or semiconductive portions. These zones are brought to a potential higher than an electric potential threshold determined relatively to a reference electrode. the electric potential threshold is the potential beyond which the grafting of the organic molecules occurs.

Contact: S. Palacin

 

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