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Relaxation de la contrainte dans les hétérostructuresAl(Ga)InN/GaNpour applications électroniques : modélisation des propriétés physiques et rôle de l’indium dans la dégradation des couches épitaxiales
Ranim MOHAMAD
CIMAP, Equipe PM2E
Vendredi 05/10/2018, 10h00-12h30
CIMAP (Caen),

Résumé :

 

Contact : Pierre Ruterana

 

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