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Univ. Paris-Saclay
HDR : De la croissance épitaxiale de films minces de ferrite à leur intégration dans des dispositifs de la spintronique
Jean-Baptiste Moussy
IRAMIS/SPCSI
Lundi 27/06/2011, 10:00
Amphi. Bloch, Bât. 774, Orme des Merisiers, CEA-Saclay


Les oxydes, sous forme de films minces ou de monocristaux, présentent un très large variété de propriétés physiques (supraconductivité, ferromagnétisme, ferroélectricité, multiferroïcité…). Les avancées technologiques majeures réalisées dans le domaine de la croissance des films minces d’oxydes au milieu des années 80 ont favorisé l’insertion de ces matériaux au sein d’hétérostructures complexes aux interfaces maîtrisées et aux fonctionnalités nouvelles.

Dans ce contexte, les ferrites de formule chimique AFe2O4 (A= Fe, Co, Mn…) constituent une classe d’oxydes magnétiques particulièrement intéressante pour la spintronique en raison de leurs températures de Curie élevées et des propriétés de demi-métallicité (Fe3O4) ou de filtrage de spin (CoFe2O4, MnFe2O4, NiFe2O4…) supposées de certains d’entre eux à température ambiante.

Dans cet exposé, je décrirai la croissance par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma d’oxygène de films minces de ferrite ainsi que les propriétés physiques (magnétisme, polarisation en spin, magnéto-transport) de ces couches minces et des hétérostructures associées pour la génération de courant fortement polarisé en spin.

 

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