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Univ. Paris-Saclay
Corrélation microscopique entre les informations chimiques et électroniques obtenues par XPEEM, du graphène épitaxié sur SiC(000-1)
Claire MATHIEU - DSM/IRAMIS/SPEC/LENSIS
Vendredi 17/10/2014, 11:00
LIDYL Bât.522, Grande salle 137-138, CEA-Saclay

Le graphène épitaxié sur carbure de silicium (SiC) a connu un fort essor ces dix dernières années, notamment pour ces potentielles applications dans les nanotechnologies.  Cependant, ce mode de croissance du graphène génère des hétérogénéités à l’échelle microscopique, tel que le nombre de couches de graphène, tout particulièrement sur la face terminée carbone du SiC. Ces divers domaines présentent des propriétés chimiques et électroniques différentes, nécessitant des instruments d’analyse qui combine des résolutions spatiales, en énergie et en vecteur d’onde, tel que le PEEM (Microscopie d’électrons photoémis) filtré en énergie.

Dans ce séminaire seront exposées nos études spectromicroscopiques, réalisées sur des échantillons de Gr/SiC(000-1). Ces travaux ont permis, d’une part, de mettre en évidence des variations microscopiques à l’interface SiC/graphène, en fonction de l’épaisseur du graphène. D’autre part, l’obtention de la structure de bande complète des domaines spécifiques a montré l’existence d’effets de diffraction des cônes de Dirac, dus à la commensurabilité des couches de graphène adjacentes.

 



Carte 2D du travail de sortie d’un échantillon de graphène épitaxié sur SiC(00-1) (centre). Sur une zone spécifique il est possible d’imager d’une part l’espace direct et d’obtenir des informations chimiques (gauche) ou l’espace réciproque, et ainsi d’acquérir la structure de bande complète (droite).

 

Contact : Caroline LEBE

 

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