A Comparative Look at Epitaxial Graphene

Edward H. Conrad

School of Physics, Georgia Institute of Technology, Atlanta Georgia, USA

Mardi 08/04/2008, 00:00

SPEC Bât 466 p.111 (1er ét.), CEA-Saclay

Epitaxial graphene is a serious contender for post Si based CMOS materials. While a number of unique properties of an isolated single graphene sheet make it an ideal candidate, real devices will not be made from such an idealized material. An actual candidate for graphene based electronics is epitaxial graphene grown directly on an insolating substrate. At first glance, both substrate/graphene interactions and multiple layer stacking should break the unique symmetry of an isolated graphene sheet. As I will show, nature has disguised the sensitivity of changes in the electronic structure due to interplaner interactions. I will review what is know about the production of graphene on hexagonal SiC, the structure of the graphene/SiC surface and how graphene is stacked. The substrate interaction is mitigated by a buffer layer on both polar faces of SiC so that graphene layers grown on this layer behave electronically like isolated sheets. On the SiC(000-1) surface a unique rotational stacking, driven by the SiC substrate, causes multilayer sheets to decouple and again preserve the symmetry of an isolated graphene sheet.

E_Conrad_8Avril08.pdf (2 Mo)

Séminaire SPCSI - Informations pratiques

Entrée sur le site du CEA de Saclay pour les séminaires SPCSI

Afin de pouvoir entrer sur le site du CEA de Saclay veuillez adresser les données personnelles suivantes par courriel à Christine Prigian et Catherine Julien (secrétariat) un avis d’entrée vous sera alors délivré:

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Les séminaires se déroulent au Bât. 466, pièce 111 (1^er étage).
En cas de problème vous pouvez contacter le secrétariat au : 01 69 08 65 32 / 40 12.

Formalities for entering the CEA Saclay site for SPCSI seminars

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The entrance in CEA Saclay is through the main entrance or north entrance (see link below), a pass will be delivered. Ask at the “accueil” the path for the building 466. SPCSI seminars take place in room 111 (first floor).

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