L’amélioration des propriétés de transparence dans le domaine IR est un défi à la fois technique et scientifique. Pour ce type d'application, les monocristaux de la famille ZnGeP2 sont prometteurs. En revanche, la présence de défauts issus de la synthèse induit les bandes d’absorption limitant les propriétés physique de ZnGeP2. L’irradiation pourrait être un nouveau moyen pour modifier la nature et la concentration des défauts responsables des processus d’absorption. L'objectif de ce travail de thèse est donc de définir les conditions d’irradiation optimales en termes de fluence, nature et énergie des particules, température d’irradiation pour améliorer les propriétés dans le domaine IR. Dans ce but, une méthode quantitative telle que la résonance paramagnétique électronique sera utilisée afin de déterminer les mécanismes de production de défauts d’irradiation et leurs interactions avec les défauts issus de la synthèse.