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Univ. Paris-Saclay

Faits marquants 2009

24 septembre 2009
A. Cassimi, D. Hennecart, J. Rangama, T. Been,  D. Lelièvre, J.-M. Ramillon,  -  CIMAP, CEA-CNRS, Caen,T. Muranaka CEA-IRFU SaclayA. Leredde, X. Fléchard, LPCH. Shiromaru, J. Matsumoto,  K.-I.
26 janvier 2009
P. Camy, A. Benayad, J.L. Doualan, V. Ménard, R. Moncorgé (IRAMIS-CIMAP/MIL)
Dans la poursuite de l'amélioration des chaines laser de puissance, un axe majeur de développement est d'obtenir à la fois de meilleurs rendements et une meilleure accordabilité.
09 novembre 2009
Emmanuel Betranhandy, Nathalie Vast and Jelena Sjakste
Les propriétés mécaniques du carbure de bore à haute pression, expliqués à partir des premiers principes.
 
06 juillet 2009
Contact CEA : Hamed Merdji
Pour obtenir une image d'un objet, il suffit usuellement de l'éclairer et d'enregistrer la lumière diffusée qui parvient à un détecteur.
 
17 novembre 2009
Fabriquer des mémoires numériques encore plus petites, et qui consomment encore moins d'énergie pour l'électronique nomade ? Des chercheurs du CNRS et de l'Université de Paris Sud XI (Laboratoire de physique des solides, CNRS/Univ.
30 septembre 2009
F. Mallet, F. Ong, A. Palacios, F. Nguyen, P. Bertet, Denis Vion and D. Esteve
07 septembre 2009
D. Dulić, P. Lavie, S. Campidelli, A. Filoramo, collaboration : F. Pump et G. Cuniberti (Université de Dresde)
( English version)   Des chercheurs du Laboratoire d'Electronique Moléculaire (IRAMIS/SPEC) ont récemment publié un article intitulé "Controlled Stability of Molecular Junctions" dans la prestigieuse revue internationale Angewandte Chemie.
09 juin 2009
( English version) On pensait bien connaitre la physique des transistors, et en particulier celle de ceux qui peuplent par millions le cœur de nos ordinateurs, les MOSFETs au Silicium (Metal Oxyde Semi-conducteur Field Effect Transistor).

 

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