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Univ. Paris-Saclay
Brevet: Elément de magnétorésistance à vanne de spin à réponse améliorée aux champs magnétiques
C. Fermon, P. Campiglio et B. Cadugan
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Brevet: Elément de magnétorésistance à vanne de spin à réponse améliorée aux champs magnétiques

This figure is a block diagram showing layers of an example of a magnetoresistance element having a double spin valve stack

Numéro d’identification: WO/2016/196157 (lien OMPI)
Numéro d’identification CEA BD               
Année de dépôt : 05-06-2015   
Date de publication : 08-12-2016

Elément de magnétorésistance à vanne de spin à réponse améliorée aux champs magnétiques
L’invention concerne un élément de magnétorésistance à vanne de spin qui comprend un nombre pair de structures de couches libres présentant un couplage ferromagnétique ou antiferromagnétique par rapport à des couches de laminage associées par des entretoises non magnétiques. Il peut présenter une configuration dans laquelle une moitié des structures de couches libres présente un couplage antiferromagnétique et l’autre moitié présente un couplage ferromagnétique par rapport à des couches laminées associées. Les couplages différents sont le résultat d’un nombre pair de couches d’entretoises différentes dont les épaisseurs respectives sont différentes..


Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields (WIPO link)

A spin valve magnetoresistance element has an even number of free layer structures having ferromagnetic or antiferromagentic coupling with respecto to associated pinning layers via non-magnetic spacers. It may have a configuration in which one half of the free layer structures has an antiferromagnetic coupling and the other half has a ferromagnetic coupling with respect to associated pinned layers. The different couplings are the result of an even number different spacer layers having respective different thicknesses.


Contact:   C. Fermon,

 

 

 

 

 
#2679 - Màj : 08/01/2017

 

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