| | | | | | | webmail : intra-extra| Accès VPN| Accès IST| Contact
Univ. Paris-Saclay
Brevet : Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche
F. Amy, C. Brylinski, G. Dujardin, H. Enriquez, A. Mayne et P. Soukiassian logo_tutelle 
Brevet :  Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

Illustration schématique de la fabrication d'une couche de silicium conformément à l'invention

Numéro d'identification : WO/2001/039257 (lien OMPI et lFichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1285
Année de dépôt : 25-11-1999
Date de publication : 31-05-2001

Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

La présente invention concerne une couche de silicium qui est très sensible à l'oxygène ainsi qu'un procédé d'obtention de cette couche. La couche est formée sur un substrat, par exemple en SiC, et a une sur-structure de surface 4x3. Pour l'obtenir, on dépose de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.


Couche de silicium tres sensible a l'oxygene et procede d'obtention de cette couche
(Lien WIPO)

The present patent concerns a silicon layer that is hioghly sensitive to oxygen and the process to elaborate this layer. The invention concerns a layer formed on a substrate, for example a SiC layer, having a 4x3 surface structure. The process for obtaining such a layer consists in depositing silicon substantially evenly on a surface of the substrate. The invention is useful in particular in microelectronics.

Contact : P. Soukiassian

 

Maj : 31/01/2014 (1376)

 

Retour en haut