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Univ. Paris-Saclay

Brevets 2000

25 mai 2000
A. Le Moel, G. Deniau, N. Betz, C. Bureau, C. Baquey, W. Haserbosch et G. Deleris

Numéro d'identification : WO 2000/029043 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD 1224
Année de dépôt : 16-11-1998
Date de publication : 25-05-2000 

Prothèses bioactives à propriétés immunosuppressives, antisténose et antithrombose

L'invention concerne une prothèse bioactive comprenant un support revêtu d'une couche de polymère à fonctions réactives, et une substance bioactive fixée sur la prothèse par l'intermédiaire de ces fonctions réactives de façon à pouvoir être libérée progressivement sur le site d'implantation de la prothèse. De telles prothèses sont utiles dans le domaine de la cardiologie pour éviter par exemple les resténoses résultant de l'implantation d'endocalibreurs ou 'stents' dans les artères coronaires.

 


Bioactive prostheses with immunosuppressive, antistenotic and antithrombotic properties
(WIPO link)

 

The invention concerns a bioactive prosthesis comprising a support coated with a polymer layer with reactive functions, and a bioactive substance fixed on the prosthesis via said reactive functions so as to be gradually released on a site for implanting the prosthesis. Such prostheses are useful in the field of cardiology to avoid for example restenosis resulting from implantation of stents in coronary arteries.

Contact: G. Deniau

16 mars 2000
H. Perez , F. Armand et JP Pradeau

Numéro d'identification : WO/2000/014520 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD
Année de dépôt : 08-09-1998
Date de publication : 16-03-2000

Film de détection d'une espèce chimique, capteur chimique et procédé de fabrication

La présente invention se rapporte à un film de détection d'une espèce chimique, à un capteur chimique comprenant un film selon l'invention, au procédé de fabrication associé et à un procédé pour améliorer la stabilité dans le temps et la reproductibilité d'un signal électrique mesuré à partir du procédé selon l'invention. Le film de détection possède des propriétés d'interaction avec l'espèce chimique à détecter et des propriétés électriques. Il est caractérisé en ce qu'il comprend des nanoparticules minérales et des molécules organiques pouvanzt interagir avec l'espèce chimique à détecter.


Film for detecting a chemical species, chemical sensor and method for making same
(Lien WIPO)

The invention concerns a film for detecting a chemical supecies, a chemical sensor comprising the film, a method for making a chemical sensor comprising such a film, and a method for improving the stability in time and the reproduciblity of an electric signal measured from the film detecting a chemical supecies as per the invention. The film of the invention for detecting a chemical supecies has properties for interacting with the chemical supecies to be detected and electrical properties, and is characterised in that it comprises mineral nanoparticles and organic molecules interacting with the chemical supecies to be detected.

Contact: H. Perez

08 juin 2000
V. Derycke, G. Dujardin, A. Mayne et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2009/047423 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1259
Année de dépôt : 02-12-1998
Date de publication : 08-06-2000

Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche

Selon l'invention, on forme un substrat monocristallin (2) en SiC terminé par un plan atomique de carbone selon une reconstruction c(2x2) et on effectue au moins un recuit du substrat, apte à transformer ce plan atomique, qui est un plan de dimères C≡C (4) de configuration sp, en un plan de dimères C-C (8) de configuration sp3. Application à la microélectronique, l'optique, l'optoélectronique, la micromécanique et aux biomatériaux.


Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same
(Lien OMPI)

The invention concerns a method which consists in forming a monocrystalline SiC substrate (2) ending in a carbon atomic plane according to a c(2x2) reconstruction and in at least annealing the substrate, for transforming said atomic plane, which is a plane of C≡C dimers (4) with sup configuration, into a plane of C-C dimers (8) with sup3 configuration. The invention is applicable in microelectronics, optics, optoelectronics, micromechanics and to biological materials.

Contact: P. Soukiassian

08 juin 2000
V. Derycke, G. Dujardin, A. Mayne et P. Soukiassian

Numéro d'identification : WO/2009/047423 (Lien OMPI et Fichier PDF associé)
Numéro d'identification CEA BD1259
Année de dépôt : 02-12-1998
Date de publication : 08-06-2000

Couche monoatomique et monocristalline de grande taille, en carbone de type diamant, et procédé de fabrication de cette couche

Selon l'invention, on forme un substrat monocristallin (2) en SiC terminé par un plan atomique de carbone selon une reconstruction c(2x2) et on effectue au moins un recuit du substrat, apte à transformer ce plan atomique, qui est un plan de dimères C≡C (4) de configuration sp, en un plan de dimères C-C (8) de configuration sp3. Application à la microélectronique, l'optique, l'optoélectronique, la micromécanique et aux biomatériaux.


Large-size monoatomic and monocrystalline layer, made of diamond-type carbon and device for making same
(Lien OMPI)

The invention concerns a method which consists in forming a monocrystalline SiC substrate (2) ending in a carbon atomic plane according to a c(2x2) reconstruction and in at least annealing the substrate, for transforming said atomic plane, which is a plane of C≡C dimers (4) with sup configuration, into a plane of C-C dimers (8) with sup3 configuration. The invention is applicable in microelectronics, optics, optoelectronics, micromechanics and to biological materials.

Contact: P. Soukiassian

 

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